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10月30日，長鑫存儲官網發布重磅消息：公司已正式推出第五代超低功耗雙倍速率動態隨機存儲器LPDDR5X，標志著國產存儲芯片在核心性能與封裝技術領域實現重大突破。 速率登頂10667Mbps，性能比肩國際巨頭 長鑫存儲LPDDR5X產品最高速率達10667Mbps，較上一代LPDDR5提升66%，成為國內首款實現該速率量產的存儲芯片。這一性能指標與SK海力士2024年10月量產的同規格產品完全對標，標志著國產存儲芯片首次在高端速率領域與國際巨頭同臺競技。目前，長鑫存儲已形成覆蓋8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps的完整速率梯隊，其中8533Mbps和9600Mbps產品已于2025年5月實現量產，10667Mbps產品已啟動客戶送樣。 在容量配置上，長鑫存儲LPDDR5X提供多樣化解決方案：單顆粒容量覆蓋12Gb和16Gb，芯片形態支持12GB、16GB、24GB、32GB等容量點，模組形態的LPCAMM產品則提供16GB和32GB選項。這種多容量布局精準匹配AI手機、智能座艙、邊緣計算等場景對大內存的需求，例如24GB和32GB版本可輕松支撐端側AI大模型運行與多任務并行處理。 
功耗降低30%，破解高頻低耗難題 通過架構優化與制程升級，長鑫存儲LPDDR5X在性能躍升的同時實現功耗顯著下降。相較于LPDDR5，新產品功耗降低30%，在運行Llama 2等大型語言模型時，設備響應速度與語音轉譯效率提升顯著。實測數據顯示，搭載10667Mbps速率內存的旗艦手機可流暢支持8K視頻連拍、高幀率游戲多開等高頻場景，徹底擺脫對韓系內存的性能依賴。 這一突破源于長鑫存儲對低功耗技術的深度攻關。在IEEE 2025 ASICON會議上，公司技術團隊分享了帶寬優化、電壓控制、時鐘樹設計等關鍵技術路徑，通過動態調整工作電壓與頻率，實現性能與功耗的精準平衡。 封裝創新引領輕薄化浪潮，0.58mm超薄產品蓄勢待發 長鑫存儲此次發布的首創uPoP®小型封裝技術，成為行業關注的另一焦點。該封裝通過垂直堆疊設計顯著縮小芯片體積，厚度較傳統封裝減少40%，可節省主板空間25%以上，為手機廠商塞入更大容量電池、多攝模組創造條件。更值得關注的是，公司正在研發的HiTPoP封裝技術已進入量產前驗證階段，其0.58mm的厚度將刷新LPDDR5X封裝紀錄，較三星0.65mm、美光0.61mm的同類產品更具競爭力。 HiTPoP封裝嚴格遵循JEDEC焊球布局標準，確保與現有主板設計無縫兼容，同時通過減薄技術有效改善因SoC溫升導致的DRAM高速IO性能瓶頸。這一創新不僅提升散熱效率，更避免高負載下的性能降頻，為5G終端、折疊屏手機等高端設備提供穩定性能保障。 加速國產化替代，重構全球存儲生態 長鑫存儲LPDDR5X的量產具有雙重戰略意義：一方面，其性能突破標志著國產存儲從“能造”向“造好”跨越，技術差距縮短至1年以內；另一方面，uPoP封裝技術與國產SoC廠商的異構集成能力形成合力，推動“存儲+主控”高性能低功耗方案落地，加速終端設備國產化替代進程。 據行業分析，隨著長鑫存儲產能爬坡，LPDDR5X有望在2026年實現全品類量產，年出貨量突破1億顆。這一進程不僅將重塑移動存儲市場格局，更將為中國電子產業構建自主可控的關鍵供應鏈，在AI算力競賽中搶占戰略制高點。 |
