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測試測量文章列表

表面電阻率和體電阻率的測量以及變換極性和變換電壓的技術

電阻率的測量方法是測量電阻,然后再考慮幾何因素將其變換成表面電阻率或體積電阻率。測量絕緣材料電阻的理想方法是向樣品施加一個已知的電壓,再使用靜電計或皮安計測量產生的電流。為了考慮樣 ...
2010年09月30日 10:26   |  
變換電壓   變換極性   測量   電阻率   體電阻率  

導電材料電阻率的三種經典測量方法

測量導體電阻率的方法是通過一對引線強制電流流過樣品,用另一對引線測量其電壓降來決定已知幾何尺寸的樣品的電阻。雖然,測量電阻率使用的具體方法決定于樣品的大小和形狀。但是所有的方法都需 ...
2010年09月30日 10:25   |  
測量方法   導電材料   電阻率   經典  

產品聚焦:手持測試設備

電子、溫度、功率、壓力的測量最常使用手持式設備,一些用戶很喜歡這種測量方法的便捷性,購買量將會增加。 手機和其他電子設備的尺寸正在逐漸縮小,測試測量設備也不甘落后,手持式設備對 ...
2010年09月30日 10:23   |  
測試設備   手持  

接觸電阻的多種測量方法

接觸電阻就是電流流過閉合的接觸點對時的電阻。這類測量是在諸如連接器、繼電器和開關等元件上進行的。接觸電阻一般非常小其范圍在微歐姆到幾個歐姆之間。根據器件的類型和應用的情況,測量的方 ...
2010年09月30日 10:15   |  
測量方法   接觸電阻  

如何確定電容器的介電吸收

當介電材料中隨機指向的永久分子偶極子在外電場的作用下排列整齊時,就發生了介電吸收現象。電容器從放電電路斷開以后,電容器中保持剩余的電荷,從而在電容器的端子之間重新建立起電壓。 ...
2010年09月30日 10:08   |  
電容器   介電   吸收  

二極管泄漏電流以及MOSFET的亞閾區電流的測量

測試半導體器件和晶圓片(Wafer)常常要涉及到測量小電流。其中有些測試工作包括各種泄漏電流的測量。另一些對于晶圓片級半導體的弱電流測量則通常與介電材料(氧化物或化合物)的質量有關。這 ...
2010年09月30日 10:07   |  
MOSFET   電流   二極管   泄漏   亞閾區  

FFT、PFT和多相位DFT濾波器組瞬態響應的比較

濾波器組頻率響應的研究是一個非常復雜的課題。這方面的大多數文章只研究穩定狀態下的響應,事實上,雷達和其它突發方式的信號具有瞬時的特性。因此,了解濾波器組的瞬時性能是非常重要的。一般 ...
2010年09月30日 10:02   |  
DFT   fft   PFT   濾波器   相位  

在頻譜日益密集的條件下RF測量儀器的發展趨勢

由于市場因素,一直要求測試儀器演進得與無線技術本身一樣快。例如,測試低電平信號的能力正變得日益重要,不僅是檢測干擾,還用于無線系統的規劃。這是因為如上所述的RF頻譜日益擁擠。實際上, ...
2010年09月30日 09:59   |  
測量儀器   發展趨勢   頻譜  

實現和測試開關硬件的途徑

一.連接、配線和電纜 系統中使用的連接器和電纜的類型取決于使用的開關卡類型和被切換的信號。一般而言,開關卡有4種連接類型:螺栓端子、連接頭、同軸連接器和同軸三柱器。 對于螺栓 ...
2010年09月30日 09:56   |  
測試   開關   硬件  

擴展電阻技術測試外延片外延厚度誤差分析

擴展電阻技術(spreading resistance profile,SRP)由于其優越的空間分辨率越來越廣泛地應用在外延片和IC 圖形片測試中。SRP 技術既可以測量外延片縱向電阻變化,也可以測量外延層厚度、過渡區 ...
2010年09月30日 09:40   |  
電阻   厚度   擴展   誤差  

芯片實驗室及其發展趨勢

一、前言 芯片實驗室(Lab-on-a-chip)或稱微全分析系統(Miniaturized Total Analysis System, µ-TAS)是指把生物和化學等領域中所涉及的樣品制備、生物與化學反應、分離檢測等基本操 ...
2010年09月29日 14:45   |  
MEMS   微全分析系統   芯片實驗室  

用于位置測量的PSoC微控制器與LVDT

廉價的復合信號處理器消除了外部模擬電路。 將一個LVDT(線性可變差分變壓器)連接到微控制器是有挑戰性的工作,因為LVDT需要交流輸入激勵和交流輸出的測量,以確定其可移動核的位置。多數微控 ...
2010年09月29日 13:07   |  
LVDT   PSoC   測量   控制器  

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