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器件采用3.3mm平面封裝并在4.5V柵極驅動下具有4.8mΩ低導通電阻 Vishay 推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的器件，在實現低導通電阻的同時，高度比通常的0.75mm還要低28%，同時保持相同的PCB布版樣式。 
Si7655DN的應用將包括工業系統中的負載開關和熱插拔，適配器、電池和充電電路中的負載開關，智能手機、平板電腦和其他移動計算設備中的電源管理。Si7655DN還可以用于固話電信、蜂窩電話基站和服務器/計算機系統中的冗余開關、OR-ing和監管應用。 利用新的PowerPAK 1212封裝型號和Vishay Siliconix業內領先的P溝道Gen III技術，Si7655DN具有3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大導通電阻。這些性能規格比最接近的-20V器件提高17%或更多。 Si7655DN的低導通電阻使設計者能夠在電路中實現更低的壓降，更有效地使用電能，讓電池運行的時間更長，且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封裝將有助節省寶貴的空間。 Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET系列中的最新成員。有關TrenchFET Gen III系列的更多信息，見www.vishay.com/doc?49996。 新的Si7655DN現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。 |
