場效應管 SI4166DY-T1-GE3

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場效應管 SI4166DY-T1-GE3
型號：SI4166DY-T1-GE3
晶體管極性：N-Channel
汲極源極擊穿電壓：30V
閘源擊穿電壓：+/- 20 V
漏極連續電流：20.5A
電阻汲極源極RDS（導通）：0.0045 Ohms
配置：Single Quad Drain Triple Source
最大工作溫度：﹢150C
安裝風格：SMD/SMT
封裝/箱體：SOIC-8 Narrow
下降時間：15ns
正向跨導gFS(最大值/最小值）：65S
最小工作溫度：﹣55°C
功率耗散：3W
上升時間：19ns
工廠包裝數量：2500PCS/盤
典型關閉延遲時間：35ns
零件號別名：SI4166DY-GE3
本公司長期供應 SI4166DY-T1-GE3
鄭重承諾：保證原裝正品，假一賠十！
深圳市康力華光電技術有限公司
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