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美高森美使用英特爾22 nm Tri-Gate 晶體管技術進行開發，預計于2014年底到 2015年初提供產品 美高森美公司(Microsemi)宣布利用英特爾公司(INTC)業界領先的onshore代工技術和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術，開發先進的高性能數字集成電路(IC)和系統級芯片(SoC)解決方案。 這項于2013年1月簽署的協議與美高森美的戰略相一致，將充分利用公司廣泛的高技術產品爭取更高性能和更高價值的機會。英特爾的Tri-Gate晶體管提供了空前的性能和功效組合，使得美高森美能夠開發出用于高性能計算、網絡加速和信號處理應用的數字IC產品。目前美高森美正在與客戶接洽，并且開始使用英特爾22nm工藝節點進行設計，預計將于2014年底到2015年初提供產品。 美高森美集成電路集團執行副總裁Paul Pickle表示：“我們所瞄準的高價值應用兼備獨特的性能和復雜的功能特性的解決方案，通過使用英特爾的創新工藝技術和經過硅產品驗證的IP，我們能夠為通信和國防市場提供性能較高、功率較低的數字IC產品，擴大在所服務市場的機會。” 英特爾技術和制造集團副總裁Sunit Rikhi表示：“英特爾很高興使用先進的22nm工藝技術和IP解決方案，來為美高森美制造數字IC解決方案。” 關于英特爾3-D Tri-Gate晶體管 英特爾公司的3-D Tri-Gate晶體管是晶體管的重新發明，它是使用從硅基底垂直豎起的不可想象之薄的三維硅鰭來替代傳統的“扁平的”二維平面柵極。在硅鰭的三面各有一個柵極——每邊各一個，另一個則橫跨在頂部，從而實現電流的控制，而不是像二維平面晶體那樣只有一個柵極在頂部。當晶體管處于“導通”狀態時，這種附加控制可讓盡可能多的晶體管電流流過(提高性能)，這是由于tri-gate結構具有較低的寄生效應，并且在“關斷”狀態時電流盡可能接近于零(最大限度減小功耗)，這也使得晶體管能夠在兩個狀態之間非常快速地開關(同樣提高了性能)。在速度方面，22nm晶體管在一秒鐘內的開關次數能夠遠遠超過10億次。 |
