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XP018增強(qiáng)后的核心減少了5V組件的光罩層數(shù)，提供低導(dǎo)通電阻的5V與12V組件的新選擇以降低芯片成本 X-FAB Silicon Foundries今日宣布針對(duì)高性能的模擬應(yīng)用，例如:音頻、傳感器界面與5V的電源管理，加強(qiáng)了XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項(xiàng)是成本敏感的消費(fèi)性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。 X-FAB針對(duì)模擬電路設(shè)計(jì)降低XP018芯片成本有幾個(gè)方面: -- 新推出的單電壓5V的選項(xiàng)移除了1.8V的部分以減少整體光罩的數(shù)量，對(duì)成本敏感的可攜式應(yīng)用提供有價(jià)值的回報(bào)。 -- 5V環(huán)境中的I/O單元、數(shù)字庫(kù)、一次性可程序化(OTP)內(nèi)存和模擬模塊均兼容于XP018所有的高壓選項(xiàng)，使其可用于任何類(lèi)型的驅(qū)動(dòng)器。針對(duì)驅(qū)動(dòng)壓電或電容性的系統(tǒng)，導(dǎo)通電阻優(yōu)化的12V晶體管減少了所需要的芯片面積。此外，5V模塊中一次性可程序化(OTP)內(nèi)存的編譯程序可支持至16k bit，互補(bǔ)于現(xiàn)有的poly fuses。 -- 適用于不同需求的金屬繞線 – 一個(gè)新式的金屬模塊概念首次引入XP018平臺(tái) – 節(jié)省了設(shè)計(jì)成本。它允許MiM電容靈活地和其他金屬層互相堆棧。 -- 最后，60V的金屬邊際電容(metal fringe capacitor)與1 kohm的poly電阻簡(jiǎn)化60V供電環(huán)境中高電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì)。 X-FAB 高壓產(chǎn)品線的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Sebastian Schmidt提到，”這項(xiàng)新工藝確實(shí)為我們的客戶提供很大的效益。20層光罩的工藝是具有競(jìng)爭(zhēng)力的，客戶可以藉由180nm高密度的數(shù)字邏輯與5V、12V至50V的推挽驅(qū)動(dòng)來(lái)建立他們的混合訊號(hào)系統(tǒng)芯片 – 非揮發(fā)性?xún)?nèi)存(NVM)的可用性也進(jìn)一步加強(qiáng)。因此，這是一個(gè)為智能型驅(qū)動(dòng)與模擬IC所設(shè)計(jì)的絕佳技術(shù)。” 新式的XP018是汽車(chē)電子驗(yàn)證過(guò)的工藝 – X-FAB的標(biāo)準(zhǔn)功能 – 并提供全面性的PDK支持與操作溫度-40至175攝氏度的應(yīng)用。 解決方案 加強(qiáng)后的XP018平臺(tái)已經(jīng)完備，設(shè)計(jì)人員可立刻受惠于這些選項(xiàng)。 |
