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讓單片機(jī)運(yùn)行速度更快一些

發(fā)布時(shí)間:2010-6-8 15:30    發(fā)布者:我芯依舊
關(guān)鍵詞: 單片機(jī)
本文就如何提高單片機(jī)的運(yùn)行速度與讀者們展開探討。   

1 問題的提出

1.1 硬件技術(shù)背景

單片機(jī)的頻率越來越高,RAM的訪問速度也來也快,但單片機(jī)系統(tǒng)的效率并不一定成比例的提高。
 
目前,使用的主流單片機(jī)有80386EX(50MHz,外部地址/數(shù)據(jù)總線16位)、MPC860T(66MHz,外部地址/數(shù)據(jù)總線32位)以及DS80C32(25MHz,外部地址/數(shù)據(jù)總線8位);使用的SDRAM有HY57系列、K416系列(訪問速度100MHz或133MHz);使用的SRAM 如IDT71024、IDT7256(50MHz);使用的Flash有AT29C512、SST39VF040、AT29C010(8MHz或15MHz)等。可見,SDRAM,SRAM的速度和單片機(jī)是匹配的,甚至比單片機(jī)的速度更快一點(diǎn),不需要單片機(jī)插入等待狀態(tài)。而flash的訪問頻率則比單片機(jī)慢2~6倍,單片機(jī)往往要通過插入多個(gè)等待狀態(tài)來和它相匹配,況且Flash多為8位,而當(dāng)前單片機(jī)多為16,32位,更多的降低了單片機(jī)的工作性能。

根據(jù)上述分析,如果提高Flash的訪問速度,擴(kuò)展Flash為16位或32位,那么程序執(zhí)行的速度就快了,單片機(jī)的性能也就提高了。如果能夠?qū)⑦@一想法變成事實(shí),而且成本低廉的話,那是最好不過的事情。事實(shí)上,可以將8位的Flash擴(kuò)展為16位、甚至32位,但要付出2~4倍的成本。由于Flash結(jié)構(gòu)及工藝原因,在目前不可能有高達(dá)66MHz的商用化且價(jià)格低廉的Flash。所以,只能通過其它方式來提升單片機(jī)的運(yùn)行速度。

1.2 軟件技術(shù)背景

首先,看看傳統(tǒng)單片機(jī)程序的運(yùn)行原理,為了便于說明,假定硬件平臺(tái)為860T,時(shí)鐘為50MHz;SDRAM空間4M×32bit,地址范圍從0x00000000~0x00FFFFFF,訪問時(shí)間10ns;Flash空間512K×8bit,訪問時(shí)間為100ns,地址范圍從0x02800000~0x0287FFFF(至于其它單片機(jī),運(yùn)行原理大致相同,可以類推)。860T在上電后,PC(Program Counter)=0x2800100,程序從PC指定的地方執(zhí)行,首先執(zhí)行初始化代碼(BootCode),再執(zhí)行主程序(AppCode)。程序從Flash中讀取指令(code),來完成數(shù)據(jù)的傳輸——可能是SDRAM和內(nèi)部寄存器的傳輸,SDRAM之間的傳輸,SDRAM和外設(shè)的傳輸,中斷處理等各項(xiàng)工作。可見在程序運(yùn)行時(shí),很大一部分時(shí)間是從Flash中讀取指令,而這個(gè)過程是很費(fèi)時(shí)間的。以假定的860T硬件平臺(tái)為例,因?yàn)镕lash訪問時(shí)間為100ns,所以讀一條指令的時(shí)間至少是100ns,也就是說860T讀一條指令的時(shí)候要等待100ns。(指令cache通過預(yù)取指令的方式,可以使實(shí)際取指令時(shí)間短一些,但這種方法的效果并不明顯,況且很多單片機(jī)還沒有指令cache。)

860T平臺(tái)的內(nèi)存分配如圖1所示。


圖1  傳統(tǒng)單片機(jī)的內(nèi)存分配模式

2 將代碼從Flash搬運(yùn)到SDRAM中的原理

通過上述分析,初始化代碼BootCode只在程序啟動(dòng)的時(shí)候執(zhí)行,就是慢一點(diǎn),也可以接受。真正影響性能的是主程序(AppCode),因?yàn)檫@里的代碼在不停的重復(fù)執(zhí)行,如果可以縮短它的取指令時(shí)間,則單片機(jī)的空閑時(shí)間將大大減少,性能也就提高了很多。SDRAM的速度比較快,如果將代碼搬運(yùn)到SDRAM中,取指令時(shí)間就減少了很多;而且SDRAM空間大,不會(huì)因?yàn)榇a占用了一部分空間而影響性能。但這不僅僅是簡單的搬運(yùn)過程,有物理存儲(chǔ)器地址的變化牽涉在這個(gè)過程中。將軟件源代碼轉(zhuǎn)換成可執(zhí)行的二進(jìn)制映像包括三個(gè)步驟:首先,每一個(gè)源文件都必須被編譯或匯編到一個(gè)目標(biāo)文件(object file);第二步,所有的目標(biāo)文件要連接成一個(gè)目標(biāo)文件,它叫可重定位程序(relocation program);最后,在一個(gè)稱為重定址(relocation)的過程中,要把物理存儲(chǔ)器地址指定給可重定位程序里的每個(gè)相對(duì)偏移處,生成一個(gè)可執(zhí)行的二進(jìn)制映像文件。如果在Flash中運(yùn)行,則所有的物理存儲(chǔ)器地址應(yīng)該在Flash的地址空間中。如果要在RAM中運(yùn)行,則所有的物理存儲(chǔ)器地址應(yīng)該在Flash的地址空間之中。也就是說,如果要使從Flash中搬運(yùn)到SDRAM中的代碼可用,則必須改變被搬運(yùn)代碼的物理存儲(chǔ)器地址。

3 搬運(yùn)代碼的實(shí)現(xiàn)方法

下面結(jié)合假定的硬件平臺(tái),詳細(xì)描述物理存儲(chǔ)器地址重定位,代碼搬運(yùn)的原理及過程。我們編寫兩個(gè)c文件——RomTool.c、RAMapp.c。

RomTool.c完成860T初始化,SDRAM的刷新,中斷及外設(shè)的初始化;Flash到SDRAM的代碼搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)模塊及跳轉(zhuǎn)模塊。對(duì)應(yīng)的二進(jìn)制映像文件為RomTool.bin。

RAMapp.c是實(shí)際的應(yīng)用程序, 對(duì)應(yīng)的二進(jìn)制映像文件為RAMapp .bin。RAMapp.bin被搬運(yùn)后在SDRAM中運(yùn)行。

3.1 物理存儲(chǔ)器地址映射規(guī)則

RomTool.c的物理地址映射規(guī)則為:數(shù)據(jù)放在起始為0x3000,大小為0xf0000的SDRAM空間里;代碼被燒結(jié)在起始為0x02800000,大小為0x10000的Flash空間里,不會(huì)被搬運(yùn),也在該空間里運(yùn)行。

所以在RomTool.lnx中指定的定位規(guī)則也應(yīng)該是這個(gè)地址范圍,如下:

MEMORY
  {
  ram1: ORIGIN = 0x00003000, LENGTH = 0xf000
  flash: ORIGIN = 0x02800000, LENGTH = 0x1000
  }
  SECTIONS
  {
  .data : {} > ram1
  .text : {} > flash
  }
  RamApp.c的物理地址映射規(guī)則為:

數(shù)據(jù)放在起始為0x3000,大小為0xf0000的空間里;代碼被燒結(jié)在起始為0x02810000,大小為0x70000的Flash中,它要被搬運(yùn)到起始為0x00F00000,大小為0x70000的SDRAM空間里,即RamApp.Bin實(shí)際在SDRAM中運(yùn)行。

所以,在RamApp.lnx中指定的定位規(guī)則應(yīng)該在SDRAM中,如下:
  
MEMORY
  {
  ram1: ORIGIN = 0x00003000, LENGTH = 0xf000
  ram: ORIGIN = 0x00F00000, LENGTH = 0x7000
  }
  SECTIONS
  {
  .data : {} > ram1
  .text : {} > ram
  }

最后,在860單片機(jī)系統(tǒng)的地址映射規(guī)則如圖2所示。對(duì)照?qǐng)D1,可以觀察到這和傳統(tǒng)的程序地址映射有很大不同。


圖2  地址映射表

3.2 搬運(yùn)的過程

860T上電復(fù)位,RomTool.bin首先被執(zhí)行,完成初始化工作后,運(yùn)行代碼搬運(yùn)函數(shù),將RAMapp.bin搬運(yùn)到SDRAM中,隨后改變PC(Program Counter)的值,無條件轉(zhuǎn)移到SDRAM中運(yùn)行RAMapp.bin,如圖3所示。


圖3  從Flash到SDRAM搬運(yùn)代碼的過程

3.3 搬運(yùn)代碼的驅(qū)動(dòng)模塊及跳轉(zhuǎn)模塊源代碼

(1)搬運(yùn)代碼驅(qū)動(dòng)模塊的代碼

    void MoveCodeF_to_RAM(UWORD *FlashCode_Add, UWORD *RamCode_Add,UWORD CodeLen) {
  do{
  *RamCode_Add++ = *FlashCode_Add++;
  CodeLen?
  } while ( CodeLen!=0)
  }

該段代碼是將開始地址為FlashCode_Add,長度為CodeLen的Flash代碼搬運(yùn)到開始地址為RamCode_Add,長度為CodeLen的SDRAM 中。

(2)主函數(shù)及跳轉(zhuǎn)模塊

  #define FlashCode_Add_V 0x02810000
  #define RamCode_Add_V 0x00f00000
  #define CodeLen_V 0x00070000/4
  void main(){
  UWORD *I=(UWORD *) FlashCode_Add_v;
  UWORD *j= (UWORD *) RamCode_Add_v;
  UWORD *k= (UWORD *) CodeLen_V;
  MoveCodeF_to_RAM( (UWORD *) i, (UWORD *) j, (UWORD *)k );
  # 跳轉(zhuǎn)模塊
  asm(“addis r2,0,0x00f0”);
  asm(“ori r2,r2,0x0000”); # 代碼起始地址0x00f00000
  asm(“mtspr LR,r2”);
  asm(“bclr 20,0”); # 無條件轉(zhuǎn)跳到鏈接寄存器
  # (LR)中的地址
  }
  FlashCode_Add_V:被搬運(yùn)代碼的首地址,在Flash中。
  RamCode_Add_V:被搬運(yùn)代碼的目標(biāo)地址,在RAM中。
  CodeLen_V:被搬運(yùn)代碼的長度,按32位計(jì)算。

該函數(shù)在調(diào)用代碼搬運(yùn)MoveCodeF_to_RAM函數(shù),將代碼從Flash搬運(yùn)到SDRAM中后,將程序指針轉(zhuǎn)移到SDRAM中。注意跳轉(zhuǎn)的地址一定要和RamCode_Add_V一致。

4 小 結(jié)

可見,正確完成代碼搬運(yùn)的關(guān)鍵在于:
  
① 確定被搬運(yùn)代碼的物理地址映射規(guī)則, 物理地址一定是在SDRAM中;
② 被搬運(yùn)代碼是被燒結(jié)在Flash中,后來又被搬運(yùn)到SDRAM中;
③ 無條件轉(zhuǎn)移到SDRAM中,運(yùn)行被搬運(yùn)代碼(應(yīng)用程序代碼)。

對(duì)于其它型號(hào)的單片機(jī),可以根據(jù)該原理類推,方法是一樣的,只是具體的代碼不同而已。相信你的單片機(jī)系統(tǒng)在經(jīng)過這樣的處理后,效率一定會(huì)高很多。
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