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高壓IGBT可降低高功率太陽能逆變器、UPS和電焊機中的總功耗、電路板尺寸和整體系統(tǒng)成本 飛兆半導體推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關(guān)工業(yè)應用為目標，如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和電焊機，此新型IGBT 系列將幫助電源工程師在其設計中實現(xiàn)更好的效率和可靠性。 這種新型1200 V場截止IGBT系列 具有1.8 V的VCE(SAT)，其遠低于以前的快速開關(guān)NPT IGBT，可最大程度地降低導通損耗。這些新器件具有1200V快速開關(guān)IGBT市場中提供的最低VCE(SAT) 額定值之一。開關(guān)損耗較低， EOFF 值在30 µJ/A以下。所有器件均包含為快速開關(guān)優(yōu)化的相同封裝的二極管。 “需要創(chuàng)新的新型功率電子技術(shù)幫助光伏逆變器生產(chǎn)商降低成本、提高效率并增強可靠性。”工業(yè)功率系統(tǒng)總監(jiān)MH Lee先生說。“我們的1200 V溝槽型場截止IGBT系列可幫助客戶提高其太陽能逆變器設計中的能效和可靠性，并幫助制造商滿足政府法規(guī)和最終客戶不斷節(jié)能的需求。” 1200 V 場截止溝道IGBT系列還允許設計人員在比競爭解決方案更高的開關(guān)頻率下操作器件，從而有助于減小電容的尺寸和成本以及電路中的電感組件。這樣可實現(xiàn)具有較高功率密度、較小尺寸和較低物料成本的系統(tǒng)設計。 此IGBT系列100%經(jīng)過在額定電流四倍的電流下箝位電感開關(guān)測試，以保證較大的安全工作區(qū)(SOA)。 這些產(chǎn)品采用具有20mm引腳長度的較小TO247封裝（與之前系列的TO264封裝相比），并提供15、25和40 A的額定電流。 
特點與優(yōu)勢： • 低飽和電壓： VCE(SAT) = 1.8 V @ 額定集電極電流(Ic) • • 高速開關(guān)： • 低 EOFF = 6.6µJ/A • 寬SOA（100%電感負載開關(guān)測試；ILM = 4倍Ic額定值） • 易于并聯(lián)運行（正溫度系數(shù)） • Tj = 175°C（最大結(jié)溫） • 高輸入阻抗 • 符合 RoHS 標準 飛兆半導體的溝槽型場截止IGBT提供業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)，可應對當今設計中遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。這些應用都是飛兆半導體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應用中實現(xiàn)最大限度的節(jié)能。 報價:（訂購 1,000 個,美元） FGH15T120SMD_F155 – 1200 V/15 A: $3.30 FGH25T120SMD_F155 – 1200 V/25 A: $4.65 FGH40T120SMD_F155 – 1200 V/40 A: $6.30 可供貨期: 按請求提供樣品。 交貨期: 收到訂單后 8-12 周內(nèi) 若要取得產(chǎn)品PDF格式的數(shù)據(jù)頁，請訪問網(wǎng)頁： http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH15T120SMD.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH25T120SMD.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH40T120SMD.pdf 查詢更多信息，請聯(lián)絡飛兆半導體香港辦事處，電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-3250-7688；北京辦事處，電話：010-6408-8088 或訪問公司網(wǎng)站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
