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PCB設(shè)計(jì)與串?dāng)_-真實(shí)世界的串?dāng)_(上)

發(fā)布時間:2014-3-11 15:55    發(fā)布者:絕對好文
關(guān)鍵詞: PCB設(shè)計(jì) , 串?dāng)_
作者:一博科技SI工程師陳德恒

摘要:

隨著電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域的高速發(fā)展,產(chǎn)品越來越小,速率越來越高,信號完整性越來越成為一個硬件工程師需要考慮的問題。串?dāng)_,阻抗匹配等詞匯也成為了硬件工程師的口頭禪。電路板尺寸變小,成本要求提高,電路板層數(shù)變少,使得布線密度越來越大,串?dāng)_的問題也就越發(fā)嚴(yán)重。本文從3W規(guī)則,串?dāng)_理論,仿真驗(yàn)證幾個方面對真實(shí)世界中的串?dāng)_控制進(jìn)行量化分析。

引言:

信號頻率升高,上升沿越來越陡,電路板尺寸越來越小,成本要求越來越高,是當(dāng)今電子設(shè)計(jì)的趨勢。尤其在消費(fèi)類電子產(chǎn)品上,基本都是四層或者六層板,除去必要的電源地平面,其他層密密麻麻全走著信號。串?dāng)_也成為了一個最常見的問題。串?dāng)_的危害巨大,直接影響著信號是否能夠正確的接收。對于串?dāng)_,業(yè)內(nèi)通常有3W規(guī)則的說法,只要走線沒有達(dá)到3W,就會引起一些硬件工程師的恐慌。是否一定要3W?如何去盡量的避免串?dāng)_?對串?dāng)_有一個量化的概念將會讓我們的設(shè)計(jì)更加有把握。

1.  3W規(guī)則

PCB設(shè)計(jì)中為了減少線間串?dāng)_,應(yīng)保證線間距足夠大,當(dāng)線中心間距不少于3倍線寬時,則可保持大部分電場不互相干擾,這就是3W規(guī)則。如(圖1)所示。


圖1

3W規(guī)則只是一個籠統(tǒng)的規(guī)則,在實(shí)際的PCB設(shè)計(jì)中,若死板地按照3W規(guī)則來設(shè)計(jì)會導(dǎo)致成本的增加。

無法滿足3W規(guī)則時,可以通過對串?dāng)_的量化的理解,來改變一些其他的參數(shù)保持信號完整性。

2.  串?dāng)_理論

當(dāng)信號沿傳輸線傳播時,信號路徑和返回路徑之間將產(chǎn)生電力線;圍繞在信號路徑和返回路徑周圍也有磁力線圈。這些場并不是被封閉在信號路徑和返回路徑之間的空間內(nèi)。相反,它們會延伸到周圍的空間。我們把這些延伸出去的場稱為邊緣場。這些邊緣場將會通過互容與互感轉(zhuǎn)化為另一條線上的能量。而串?dāng)_的本質(zhì),其實(shí)就是傳輸線之間的互容與互感。

2.1 容性耦合

容性耦合示意圖如下(圖2):


圖2

容性耦合電流為:

            式1

其中Cm為一個上升沿所覆蓋的傳輸線長度的電感,V為信號幅值。

                 式2

其中Cml為分布電容(單位長度電容),v為傳輸速度,RT為上升時間。

               式3

2.2 感性耦合

感性耦合示意圖如下(圖3):


圖3

感性耦合電壓為:

                      式4

2.3 近端串?dāng)_與遠(yuǎn)端串?dāng)_

由靜態(tài)線耦合到動態(tài)線上的串?dāng)_分成兩部分,一部分往與信號方向相同,傳至接收端方向,我們把它叫做遠(yuǎn)端串?dāng)_或者前向串?dāng)_。另一部分與信號方向相反,傳至發(fā)送端方向,我們把它叫做近端串?dāng)_或者后向串?dāng)_。

如下圖(圖4)所示:


圖4

后向串?dāng)_幅值不增加,持續(xù)時間隨著耦合長度增加而增加。前向串?dāng)_時間與信號同時傳播,幅度隨著耦合長度增加而增加,最終達(dá)到飽和。

2.4 飽和時間

當(dāng)一個完整的上升(下降)延完成時,近端串?dāng)_飽和。近端串?dāng)_飽和時間為信號的上升時間RT,所以近端串?dāng)_飽和長度為RT*v。

理想條件下,微帶線的遠(yuǎn)端串?dāng)_在幅值達(dá)到信號幅值的1/2時飽和。帶狀線沒有遠(yuǎn)端串?dāng)_。

這個RT*V大概是個什么樣的概念呢?我們知道,在普通的FR4材料中,我們的V大約為6in/ns。通常我們DDR3跑1066Gbp/s信號的上升時間在0.1ns左右(可以根據(jù)上升時間等于十分之一的信號周期來估算信號的上升時間)。也就是說,當(dāng)耦合長度達(dá)到600mil時,噪聲才會飽和。在實(shí)際走線中,由于一些容性因素,會將上升時間拉的更長。在耦合長度達(dá)到飽和長度之前,噪聲大小與耦合長度成正比。繼續(xù)以DDR3,1066Gbp/s的信號為例,若達(dá)到飽和長度時的噪聲為80mV,則在300mil時的耦合噪聲為40mV。

2.5 串?dāng)_與阻抗

我們通常控制阻抗的方法是改變走線與參考平面之間的距離,或者調(diào)整線寬。若線間距與線寬比例保持不變的話。有一個很有趣的事實(shí),為了控制阻抗,我們?nèi)绻麥p小了走線與參考平面之間的距離的話,必須同時減小線寬。減小與平面之間的間距串?dāng)_將減小,而減小線寬串?dāng)_將增加。不管層疊線寬介電常數(shù)如何調(diào)整,串?dāng)_和阻抗正相關(guān)。阻抗變小,串?dāng)_也變小,阻抗變大串?dāng)_也將變大。

本文所有的量化數(shù)據(jù)全部基于阻抗為50ohms時的仿真,并且在任何時候,只要阻抗不變,串?dāng)_都可以通過這些數(shù)據(jù)去做出估值。
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SkyBlue 發(fā)表于 2014-3-24 13:07:47
學(xué)習(xí),感謝!
風(fēng)中笑 發(fā)表于 2014-3-24 13:11:16
學(xué)習(xí),感謝!
xie402050431 發(fā)表于 2014-3-24 23:06:13
學(xué)習(xí),感謝!..........................
zb475591816 發(fā)表于 2014-3-25 13:52:04
學(xué)習(xí),感謝!。。。
zhangw80 發(fā)表于 2014-3-27 08:27:19
學(xué)習(xí)了!!!!!!
朱文杰 發(fā)表于 2014-6-26 22:57:26
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