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IR推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

發(fā)布時(shí)間:2014-4-24 16:01    發(fā)布者:eechina
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)及開(kāi)關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等。



全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管,以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界電壓。該系列的每款器件都完全通過(guò)業(yè)界最高雪崩電流級(jí)別的雪崩測(cè)試,能夠?yàn)橐髧?yán)格的工業(yè)應(yīng)用提供最堅(jiān)固耐用的解決方案。新器件提供插入式封裝和表面貼裝D2-PAK封裝選擇。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR的 60V StrongIRFET器件系列具有超低導(dǎo)通電阻,而且完全通過(guò)嚴(yán)格的行業(yè)級(jí)雪崩測(cè)試,以確保產(chǎn)品堅(jiān)固耐用。新器件提供具有基準(zhǔn)性能的MOSFET,針對(duì)工業(yè)市場(chǎng)需求進(jìn)行了優(yōu)化。”

規(guī)格

采用插入式封裝的60V StrongIRFET
器件編號(hào)BVDSS25°C下的IDVGS為10V時(shí)的最大導(dǎo)通電阻VGS為10V時(shí)的柵極電荷封裝
IRFB753060V195A2274TO-220
IRFP7530TO-247
IRFB75342.4186TO-220
IRFB75373.3142TO-220
IRFP7537TO-247
IRFB7540110A5.188TO-220
IRFB754585A5.975
IRFB754658A7.358

采用表面貼裝D2-PAK封裝的60V StrongIRFET
器件編號(hào)BVDSS25°C下的IDVGS為10V時(shí)的最大導(dǎo)通電阻VGS為10V時(shí)的柵極電荷封裝
IRFS7530-7P60V240A1.4236D2-PAK-7
IRFS7534-7P1.9200
IRFS7530195A2274D2-PAK
IRFS75342.4180
IRFS75373.3142
IRFS7540110A5.188

新產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)及Spice模型,請(qǐng)瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com
本文地址:http://m.4huy16.com/thread-128970-1-1.html     【打印本頁(yè)】

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