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新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中，極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一，不過其實(shí)現(xiàn)難度也相當(dāng)高，從上世紀(jì)八十年代開始探尋至今已經(jīng)將近三十年， 仍然未能投入實(shí)用。極紫外光刻面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist)，也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對(duì)極紫外輻射 非常敏感，這樣才能刻出圖案，但同時(shí)又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。 Intel公司內(nèi)部一直在用微曝光設(shè)備(MET)對(duì)各種不同材料進(jìn)行試驗(yàn)和評(píng)估，目的就是尋找一種能夠同時(shí)滿足高敏感度、高分辨率、低線寬粗糙度 (LWR)的光刻膠材料，最近終于取得了重大突破。 在國際光學(xué)工程學(xué)會(huì)(SPIE)舉行的光刻大會(huì)上，Intel就進(jìn)行了這方面的展示，使用一種正型化學(xué)放大光刻膠(CAR)結(jié)合極紫 外底層，以及一種相應(yīng)的漂洗劑，最終達(dá)成了22nm半節(jié)距(half pitch)分辨率，并滿足敏感度和LWR要求。 Intel據(jù)此驕傲地宣布，經(jīng)過數(shù)十年的不懈努力，極紫外光刻技術(shù)已經(jīng)從研究層面邁向?qū)嵱茫?dāng)然了，真正商用仍 尚需時(shí)日。 
藍(lán)色部分即代表光刻膠 來源：驅(qū)動(dòng)之家 |
