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ST推出電流隔離gapDRIVE:新的尖端智能集成柵驅(qū)動器

發(fā)布時間:2014-12-8 15:09    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 柵驅(qū)動器 , 柵極驅(qū)動
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出先進(jìn)的單通道柵驅(qū)動器 (single-channel gate driver) 芯片STGAP1S。新產(chǎn)品在同一芯片上集成電隔離層 (galvanic isolation) 和模擬及邏輯電路 (analog and logic circuitry),有助于設(shè)計人員簡化驅(qū)動器設(shè)計,同時確保產(chǎn)品具有優(yōu)異的抗噪性能 (noise immunity),實現(xiàn)安全可靠的功率控制效果。



STGAP1S是意法半導(dǎo)體新一代gapDRIVE™柵驅(qū)動器的首款產(chǎn)品。新產(chǎn)品整合意法半導(dǎo)體獨有的雙極-CMOS-DMOS (BCD) 制造工藝以及在芯片上植入隔離層的創(chuàng)新技術(shù),可進(jìn)一步提高系統(tǒng)集成度。高壓軌上可耐受最高達(dá)1500V電壓,而不會干擾其它電路;高可靠性使其適用于工業(yè)驅(qū)動器、大功率600V或1200V逆變器、太陽能逆變器以及不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 。

100ns電隔離層信號傳播延時,使STGAP1S能夠傳輸高精度的PWM信號。新產(chǎn)品集成驅(qū)動級的灌入或源出電流最高達(dá)5A;軌對軌輸出支持負(fù)驅(qū)動電壓,可與大型絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistors) 或?qū)拵?(wide-bandgap) 電源開關(guān)(例如碳化硅MOSFET)配套使用。新產(chǎn)品具有優(yōu)異的共模瞬變免疫能力 (common-mode transient immunity),可耐受超過±50V/ns的共模瞬變電壓,支持跨電隔離層通信和安全的工作環(huán)境。灌入與源出輸出分開式設(shè)計可提高設(shè)計的靈活性,有助于減少外部元器件的使用。

新產(chǎn)品可通過內(nèi)置的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口SPI端口與主控制器通信,內(nèi)部控制邏輯可實時監(jiān)控工作狀態(tài)。STGAP1S通過這個接口向主控制器提供豐富的診斷信息,進(jìn)一步提升系統(tǒng)保護(hù)性能和工作可靠性。

新智能驅(qū)動器還集成大量的保護(hù)功能,幫助芯片最大限度提升在惡劣工業(yè)環(huán)境中的工作可靠性。這些保護(hù)功能包括防止無用的晶體管導(dǎo)通的功率級有源米勒箝位 (active Miller clamp);在短路條件下保護(hù)開關(guān)的去飽和檢測 (desaturation detection);可防止有危害性的電壓過沖的集電極-發(fā)射極的過壓保護(hù) (collector-emitter overvoltage protection) 及輸出雙電平關(guān)斷功能;過熱保護(hù) (over-temperature protection)、欠壓保護(hù) (UVLO, Under-Voltage Lockout) 和過壓保護(hù) (OVLO, Over-Voltage Lockout) 以及過流(over-current) 檢測專用引腳。

STGAP1S是一款具有完美集成度且尺寸精巧的SO24W芯片。

欲了解更多詳情,請訪問:www.st.com/gapdrive-nb
  


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