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英飛凌（Infineon）近日推出旨在提高智能手機數據速率的全新系列LTE低噪聲放大器(LNA)和四頻LNA Bank。 LTE（也稱為4G）是無線通信最新標準，支持高達300 Mbit/s的數據速率，而最新的UMTS (3G) 版本僅支持56 Mbit/s。這使得智能手機與互聯網連接的加載時間大幅縮短，顯著提高智能手機用戶的舒適性和滿意度。 但是，使用目前的移動設備滿足用戶對LTE高數據速率的期望仍具有挑戰性。射頻前端復雜度的增加要求使用更多的射頻組件（如射頻開關、雙工器和分路器）。這將導致整個系統的損耗增加并使信噪比(SNR)降低。不僅如此，天線和射頻收發器之間的距離會導致額外的線路損耗，而線路損耗也會對信噪比(SNR) 產生負面影響，進而降低數據速率。 英飛凌BGA7x1N6和BGM7xxxx4L12系列提供低噪聲系數、精確的增益和高線性度，可幫助智能手機設計師克服這些困難。這些產品采用英飛凌高級SiGe（硅鍺）芯片技術并內置ESD保護。 新型LNA和LNA Bank均可放置于智能手機的分集和主天線路徑上，可增加系統靈敏度并確保最佳的用戶體驗。它們支持的數據速率比未配備LNA的解決方案高出96%，可完全開發LTE的潛力。即使在天線隔離度較差并且天線與收發器之間存在較大線路損耗的情況下，新設備系列的高線性度仍可確保最佳接收性能。與未配備LNA的系統相比典型靈敏度提高了3.4 dB，而所需設備尺寸卻比之前可用的LNA Bank小61% (1.9 mm x 1.1mm)。 · BGA7L1N6 · BGA7M1N6 · BGA7H1N6 設備使用符合ROHS標準的TSNP-6-2或TSLP 12-4塑料包裝進行裝運。 |
