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據日經新聞報道，日本半導體、液晶技術研發機構日本半導體能源研究所（SEL、Semiconductor Energy Laboratory）已研發出可將功耗壓縮至現行1/10以下水準的下一代芯片量產技術。臺灣晶圓代工大廠聯電將搶先在2016年夏天開始生產采用上述技術的CPU、存儲器產品。 報導指出，SEL舍棄現行主流的硅材料，而改用被稱為IGZO的氧化物半導體的特殊結晶體，形成多層電子電路，防止電流外漏，借此達到省電的效果。除可大幅改善智能手機等電子產品的電池壽命之外，也有望促進智能手表等穿戴式裝置的普及速度。 據報導，除CPU、存儲器之外，上述新技術也可應用在傳感器、邏輯集成電路等廣泛半導體產品上，借此可將智能手表等穿戴式裝置的電池壽命延長至現行的約10倍水準，而SLE計劃將該技術賣給全球半導體廠商、借此收取特許費。 報導并指出，今后半導體基礎材料可能將從現行主流的硅轉換成IGZO特殊結晶體，而美國英特爾、南韓三星電子等全球半導體大廠也正持續關注此種技術動向。 |
