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日本富士通宣布，與美國Mantero公司達成合作協(xié)議，將共同推進碳納米管內(nèi)存(NRAM)的研發(fā)、制造。這種全新內(nèi)存號稱速度是普通閃存的1000倍。 碳納米管(又名富勒烯/簡稱CNT)是一種很獨特的材料，直徑只有人類頭發(fā)的5萬分之一，能導(dǎo)熱導(dǎo)電，硬度是鋼鐵的50倍，和它沾邊的東西幾乎都是高級黑科技，包括很多號稱有突破性的新電池。 碳納米管還能通過硅基沉底實現(xiàn)0、1的變化，所以可以做成存儲芯片，而且是非易失性的，斷電也不會丟數(shù)據(jù)。 除了速度更快，NRAM內(nèi)存的功耗也更低，可靠性、耐用性都更強，關(guān)鍵是成本更低。 富士通計劃將Mantero公司的NRAM內(nèi)存整合到自家芯片中，預(yù)計2018年底推出商用商品，不過制造工藝55nm，單顆容量也只有256Gb(32MB)，并不適合大規(guī)模普及。 其實，Nantero 2006年開始就說要投產(chǎn)碳納米管內(nèi)存，但一直沒什么進展，希望這次能和富士通做出一些實際效果，推動這一技術(shù)的深入發(fā)展。 
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