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串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路解析分析方法研究

發(fā)布時(shí)間:2010-10-28 23:59    發(fā)布者:conniede
關(guān)鍵詞: 電容 , 電源 , 晶體管 , 穩(wěn)壓器
1 串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的計(jì)算模型

串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路中含有的元器件種類繁多,把他作為我們研究問題的對(duì)象,使得研究結(jié)果具有普遍性。串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路如圖1所示。圖中,Ui為電網(wǎng)電壓經(jīng)變壓、整流、濾波后的輸出電壓值;VT1為調(diào)整管,VT2為放大管,VD為穩(wěn)壓管,內(nèi)阻為r。假設(shè),VT1的參數(shù)為rbe1,β1;VT2的參數(shù)為rbe2,β2。


根據(jù)電路圖可知電路有5個(gè)獨(dú)立節(jié)點(diǎn),輸入為節(jié)點(diǎn)1,輸出為節(jié)點(diǎn)5,其余節(jié)點(diǎn)按順序標(biāo)于圖中。

根據(jù)放大電路導(dǎo)納矩陣的建立方法,可以對(duì)此電路建立計(jì)算模型。

(1)首先去掉晶體管VT1和VT2,寫出剩余部分電路的導(dǎo)納矩陣。


(2)按電路中的實(shí)際編號(hào),寫出晶體管VT1和VT2的節(jié)點(diǎn)導(dǎo)納矩陣。


(3)將YVT1,YVT2按他的元素所在的行、列位置"對(duì)號(hào)入座"地補(bǔ)入Y0中,得到串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的節(jié)點(diǎn)導(dǎo)納矩陣:


此導(dǎo)納矩陣即是用來描述串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的數(shù)學(xué)模型。對(duì)于穩(wěn)壓電源而言,我們所關(guān)心的是穩(wěn)壓電源的輸出電壓是否恒定、輸出電阻是否很小、穩(wěn)壓系數(shù)是否很小。有了穩(wěn)壓電源的數(shù)學(xué)模型,下一步的問題就是如何對(duì)數(shù)學(xué)模型進(jìn)行求解。

2串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路性能指標(biāo)的求解

2.1 串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路性能指標(biāo)的求解

對(duì)于直流穩(wěn)壓電路來說,可以假設(shè)有兩個(gè)外加恒流源電流,分別記為Iω1和Iωn,方向以從外節(jié)點(diǎn)流入為正。這樣整個(gè)電路的方程組包括反映信號(hào)源和負(fù)載的方程各一個(gè)。由于對(duì)外只有兩個(gè)節(jié)點(diǎn),可以用兩個(gè)方程來描述,再考慮外加恒流源和支路電流關(guān)系的兩個(gè)方程,總共6個(gè)方程來描述。利用直流穩(wěn)壓電源的節(jié)點(diǎn)導(dǎo)納矩陣,可以得到端口方程:


由于穩(wěn)壓電路有公共點(diǎn),所以可以求得節(jié)點(diǎn)電壓列向量:


式中,△為穩(wěn)壓電路節(jié)點(diǎn)導(dǎo)納矩陣的行列式;△11為此導(dǎo)納矩陣中位于第1行第1列的元素所對(duì)應(yīng)的代數(shù)余子式;△n1為此導(dǎo)納矩陣中位于第n行第1列的元素所對(duì)應(yīng)的代數(shù)余子式;△1n為此導(dǎo)納矩陣中位于第1行第n列的元素所對(duì)應(yīng)的代數(shù)余子式;△nn為此導(dǎo)納矩陣中位于第n行第n列的元素所對(duì)應(yīng)的代數(shù)余子式。


有了三個(gè)方程就可以確定穩(wěn)壓電源的質(zhì)量指標(biāo)。

2.2穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓系數(shù)


2.3 確定穩(wěn)壓電源的輸出電阻

求輸出電阻時(shí),負(fù)載應(yīng)該開路(RL=∞),輸入端的信號(hào)源若為定勢(shì)源時(shí),視信號(hào)源處短路(Us=0,但保留Rs);若為恒流源時(shí),視信號(hào)源處開路(Is=0,但保留Rs)。由輸出端加電壓Us,得到電流Is,于是可求得輸出電阻為:


式(11)和式(13)就是描述穩(wěn)壓電路質(zhì)量指標(biāo)的解析式,從而作為求解穩(wěn)壓電源的質(zhì)量指標(biāo)的依據(jù)。對(duì)于直流穩(wěn)壓電源來說,只要建立形如式(3)的節(jié)點(diǎn)導(dǎo)納矩陣,并計(jì)算出他的行列式以及相應(yīng)的代數(shù)余子式△,△11,△15,△55,△11,55,代入式(11)或式(12)以及式(13)或式(14),就可以求出穩(wěn)壓電路的穩(wěn)壓系數(shù)及輸出電阻。

3 參數(shù)變化和電路結(jié)構(gòu)的改變對(duì)穩(wěn)壓電源性能指標(biāo)的影響

用以衡量穩(wěn)壓電源穩(wěn)壓特性的指標(biāo)是質(zhì)量指標(biāo)。在電子線路中常用的質(zhì)量指標(biāo)有穩(wěn)壓系數(shù)輸出電阻和紋波電壓等。對(duì)于穩(wěn)壓電源來說,穩(wěn)壓電源的輸出電壓越穩(wěn)定、輸出電阻越小、穩(wěn)壓系數(shù)越低,穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓效果就越好。通過對(duì)穩(wěn)壓電源的分析,根據(jù)不同的需要可以采用不同的方法來改變相應(yīng)的質(zhì)量指標(biāo)。下面針對(duì)幾種不同的方法給出相應(yīng)性能指標(biāo)的解析式。

3.1 參數(shù)變化對(duì)穩(wěn)壓電源性能指標(biāo)的影響

造成電路參數(shù)變化的原因大致有兩種:第一種是自然條件發(fā)生變化引起的。常見的有環(huán)境溫度的變化,會(huì)造成晶體管輸入電阻rbe、電流放大系數(shù)β等發(fā)生變化,勢(shì)必會(huì)造成晶體管節(jié)點(diǎn)導(dǎo)納矩陣中的元素值發(fā)生變化;第二種是人為因素造成的,比如改變電阻值,更換晶體管等,也會(huì)改變晶體管節(jié)點(diǎn)導(dǎo)納矩陣中相應(yīng)的元素值。這兩種情況,僅僅是改變了放大電路導(dǎo)納矩陣中的某些元素的值,并不會(huì)改變放大電路的節(jié)點(diǎn)數(shù)。在分析參數(shù)變化對(duì)穩(wěn)壓電源性能指標(biāo)的影響時(shí),可以采用相關(guān)的解析式求得相應(yīng)的數(shù)值和參量變化后性能指標(biāo)的相對(duì)變化率。

在此以更換調(diào)整管為例,說明其對(duì)穩(wěn)壓電源的性能的影響。為了提高穩(wěn)壓電源的輸出電流,我們可以采用大功率的晶體管作為穩(wěn)壓電源的調(diào)整管。此時(shí)電路的節(jié)點(diǎn)數(shù)不發(fā)生變化,放大電路的附加矩陣Yδ就是調(diào)整管的節(jié)點(diǎn)導(dǎo)納矩陣YVT1,既有:


式(15)中的行號(hào)、列號(hào)b,c,e應(yīng)分別與晶體管的基極、集電極和發(fā)射極在穩(wěn)壓電源中的實(shí)際編號(hào)相對(duì)應(yīng)。對(duì)于圖1所示的串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源來說,b,c,e分別對(duì)應(yīng)于節(jié)點(diǎn)2、節(jié)點(diǎn)1和節(jié)點(diǎn)50,在式(15)中,他的二階及二階以上的高階子式的行列式都為零,只有6個(gè)一階子式為非零值,可以找到由Yδ造成的相應(yīng)代數(shù)余子式的增量值:  

有了式(16),可以得到更換晶體管之后對(duì)穩(wěn)壓電源性能指標(biāo)造成的影響:


3.2  電路結(jié)構(gòu)的改變對(duì)穩(wěn)壓電源性能指標(biāo)的影響

為了改善電子電路的性能,可能需要添加一條支路,或者把原有的某條支路改變接點(diǎn)的位置,或者插入某個(gè)環(huán)節(jié)。或者將兩個(gè)節(jié)點(diǎn)短路等,這都使得電路結(jié)構(gòu)發(fā)生一定的變化。這種變化不僅改變了導(dǎo)納矩陣中元素的位置,甚至?xí)䲠U(kuò)大或縮小導(dǎo)納矩陣的階數(shù)。為了方便分析問題,假設(shè)放大電路的節(jié)點(diǎn)數(shù)不變,從而研究電路結(jié)構(gòu)發(fā)生某種變化對(duì)穩(wěn)壓電源性能指標(biāo)產(chǎn)生的影響。

3.2.1 在不同節(jié)點(diǎn)處加接電容對(duì)紋波系數(shù)的影響

對(duì)于圖1所示的串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路,為了減小紋波系數(shù),常采用對(duì)地跨接一個(gè)大電容的方法來實(shí)現(xiàn)。至于這個(gè)電容的容值有多大,接在哪個(gè)節(jié)點(diǎn)上,我們要經(jīng)過理論計(jì)算和實(shí)際物理實(shí)驗(yàn)加以驗(yàn)證并得到確定。下面針對(duì)此電路,求解在不同的節(jié)點(diǎn)處跨接相同電容的情況下的紋波系數(shù)的解析式。 (1)在i=2,k=0處跨接電容C1,此時(shí)附加矩陣為:


其中,△11,22為在Y中去掉第1行第1列,第2行第2列剩下的代數(shù)余子式;△15,22為在Y中去掉第1行第5列,第2行第2列剩下的代數(shù)余子式。由此,可求得在節(jié)點(diǎn)2對(duì)地加入電容C1后的紋波系數(shù):


(2)在i=3,k=0處跨接電容C2與在i=4,k=0處跨接電容C3。此時(shí),附加矩陣分別為:


比較3種情況下的紋波系數(shù),選擇值較小的哪種即可。

3.2.2 在不同節(jié)點(diǎn)處加接電容對(duì)輸出電阻的影響


比較3種情況下的輸出電阻,選擇值較小的那種即可。
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