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如何提高G652D光纖宏彎損耗測試效率?

發布時間:2011-1-19 16:59    發布者:eetech
關鍵詞: G652D , 光纖 , 宏彎損耗 , 提高
光纖宏彎損耗測試,在國家標準GB/T9771.3-2008中描述為:光纖以30mm半徑松繞100圈,在1625nm測得的宏彎損耗應不超過0.1dB。

而注2中描述:為了保證彎曲損耗易于測量和測量準確度,可用1圈或幾圈小半徑環光纖代替100圈光纖進行試驗,在此情況下,繞的圈數環的半徑和最大允許的彎曲損耗都應該與30mm半徑100圈試驗的損耗值相適應。


大多光纖廠家都提供Φ60mm*100圈的判斷標準,然而,在日常的測試工作中,若要采用方便快捷的實驗方法,則傾向于按照注2中的建議去進行一些常規判斷。因此,掌握Φ32mm*1圈與Φ60mm*100圈的數據差異就十分有必要。

Φ32mm*1宏彎測試更為簡便

兩種宏彎損耗測試方法示意圖如圖1所示。





用上述方法對10盤正常生產條件下的光纖樣品進行對比測試。

分別在1310nm、1550nm、1625nm三種波長下,對10盤光纖樣品的宏彎平均值、標準偏差進行統計,最后將全部數據匯總,得到圖2。

從整體數據匯總圖可看出,Φ32mm*1宏彎測試方法所得數據的平均值和標準偏差都比Φ60mm*100的要小,且數據相對穩定,重復性好。當然所抽樣品也不是完全都遵循此規律,10個樣品中有3個樣品在1625nm窗口下Φ32mm*1所得數據的平均值大于Φ60mm*100所測得的;還有1個樣品在1550nm、1625nm窗口下所得數據的標準偏差大于Φ60mm*100的。

10個樣品用兩種測試方法所得數據的平均值和標準偏差相差不大,處于一個數據等級內。Φ32mm*1的判斷標準應考慮的與60mm*100比較接近。

在測試過程中,Φ32mm*1宏彎測試方法易于操作,能減少測試誤差,根據GB/T 9771.3-2008宏彎損耗的說明,Φ32mm*1宏彎測試方法可作為判斷光纖宏彎性能的一種簡便方法。

Φ60mm*100作為標準明確規定一種方法,其準確性的提高需依賴于測試裝置的改良,如保證光纖以盡可能一致的直徑、適宜的張力纏繞100圈。

截止波長與宏彎損耗存在相關性

為更好地摸索宏彎損耗與截止波長的關系,隨機抽取760個樣品進行實驗,實驗數據如圖3、圖4所示。





由圖3可明顯看出1625nm的數據較1550nm窗口下宏彎損耗分散,實際數據證實長波長對彎曲的敏感程度更甚。

由圖4可看出1625nm宏彎損耗相對集中時對應的截止波長也相對集中分布在1210nm~1290nm,截止波長越小,宏彎損耗越大,且分布散亂無規律。

通過以上分析,可以看出截止波長對宏彎損耗有一定的影響,當截止波長分布在1210nm~1290nm范圍內時,1550nm、1625nm窗口下宏彎損耗相對集中,數據穩定,這為光纖廠商優化工藝改善宏彎損耗提供了有利的數據依據。


作者:江蘇亨通光纖科技有限公司 王利英 馬愛惠 黃強
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