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器件降低壓降，提高頻率響應，具有高達5.67 A IRMS的優異紋波電流等級 Vishay擴充其T55系列vPolyTan表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器，新增D外形（EIA 7343-31）尺寸器件，一位數ESR值由9 mΩ降至7 mΩ，6 mΩ的ESR值器件正在開發中。 
今天發布的電容器保留以前較大外型尺寸，一位數ESR值比D外型尺寸典型值低3 mΩ至5 mΩ。從而有助于降低壓降、提高頻率響應，并具有高達5.67 A IRMS的優異紋波電流等級，減少PCB基板所需電容器數量。除節省基板空間外，D外形尺寸3.1 mm超薄便于設計更薄的成品。 T55系列外形尺寸為緊湊型J、P、A、B、T（薄型B —最高1.2 mm）、D、V和Z，電容量3.3 μF至1000 μF，額定電壓2.5 V至63 V，電容公差為± 20 %。器件適用于計算機、服務器、網絡設備、固態硬盤和無線收發器的電源管理、電池解耦和儲能。 電容器工作溫度-55 °C至 + 105 °C，具有較低內阻，可提高充放電特性。T55系列電容器采用無鉛（Pb）終端，符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素。器件可使用高速自動拾放設備進行貼裝，潮濕度敏感度等級（MSL）為3級。 新型一位數ESR值電容器現可提供樣品并已實現量產，訂貨周期為14至16周。 |
