|
VishayIntertechnology推出了3款采用小尺寸、表面貼裝PowerPAK®SO-8L封裝的N溝道器件，擴充其600V和650VE系列功率MOSFET。下面具體來了解一下。 VISHAY600VSiHJ8N60E、650VSiHJ6N65E和SiHJ7N65EMOSFET更省空間，可替代TO-252（DPAK）封裝的MOSFET，具有低封裝電感。 SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mmx6mm，占板空間和高度只有TO-252（DPAK）封裝器件的一半。而且，與無引線DFN封裝的MOSFET相比，碰到溫度循環情況時，PowerPAKSO-8L封裝的鷗翼引線結構能有效提高板級的可靠性。 SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級結技術制造，導通電阻與柵極電荷乘積更低，該參數是評價功率轉換應用中MOSFET的優值系數。 在功率因數校正、反激、雙管正激轉換器，以及HID和LED照明應用的硬開關拓撲中，這些參數意味著MOSFET能實現極低的傳導和開關損耗，有效節約能源。 富昌電子[Future Electronics]是全球領先的電子元器件分銷商，提供全面的[射頻連接器]等產品線，在業界享有盛名。作為一家全球整合的公司，富昌電子依托全球一體化信息平臺，使客戶能夠實時查詢庫存情況和供需動態。富昌電子官網是富昌官方[08051C104KAT2A]在內的熱門料號，歡迎咨詢。 富昌電子https://www.futureelectronics.cn |
