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在整個地址空間范圍內讀寫各種類型的數據。通常MRAM的操作和時序類似于32位微控制器的規范和時序。與DLFASH相比，當今的非易失性存儲器可以接受MRAM設備的性能和吞吐量。 與當今的DFLASH相比，未來的汽車動力總成控制器可能需要更快，更加強大的非易失性和保活內存。在非易失性存儲器中使用MRAM可以顯著提高時間緊迫狀態下的寫入數據傳輸性能。MRAM設備可用的增加的內存存儲空間還可以存儲更多診斷數據。 mram芯片技術在汽車市場上有許多應用。由于MRAM技術與標準CMOS技術集成在一起，便可以將其嵌入到動力總成微處理器中（當今，MRAM嵌入了某些非汽車微處理器中）。但是由于以下的一些原因，此時將MRAM集成到Powertrain硅片中的最經濟的方法是采用芯片堆疊。 •從動力總成硅片中刪除內存陣列可減小其管芯尺寸，從而增加每個晶片的管芯數量，同時提高管芯良率。這兩個動作均降低了動力總成芯片的成本 •芯片堆疊技術的進步已經成熟到可接受的質量水平。在已知好的動力總成芯片上堆疊MRAM的已知好芯片（KGD）提供了最便宜的解決方案，因為它集成了成本最低的CMOS芯片和成本最低的MRAM芯片。 在集成下一代ST-MRAM提供汽車市場所需的性價比（估計大約5年以上）之前，當今公認的可用的強大的MRAM技術似乎是集成的最佳方法。MRAM技術進入汽車應用。 汽車動力總成模塊使用閃存技術在斷電（保持活動內存和非易失性內存）期間保留重要的控制和診斷信息。 復雜的軟件必須設計為最大化這些設備的生命周期，因為它們的寫入周期數量有限。 MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）具有消除這種復雜性的潛力，并使KAM和NVM的管理過程中更加輕松并更加強大。 本文演示了將板載MRAM器件與下一代動力總成微處理器一起使用。創建了集成了最新動力總成微控制器，everspin MRAM MRA16A（2個x16位）和MR2xH50（@ SCK 40MHz）芯片的原型板。進行了一項調查，評估了在模擬按鍵關閉和按鍵事件期間用于存儲和檢索數據的MRAM功能。 |
| 與當今的DFLASH相比，未來的汽車動力總成控制器可能需要更快，更加強大的非易失性和保活內存。在非易失性存儲器中使用MRAM可以顯著提高時間緊迫狀態下的寫入數據傳輸性能。MRAM設備可用的增加的內存存儲空間還可以存儲更多診斷數據。 |
| mram芯片技術在汽車市場上有許多應用。由于MRAM技術與標準CMOS技術集成在一起，便可以將其嵌入到動力總成微處理器中（當今，MRAM嵌入了某些非汽車微處理器中）。但是由于以下的一些原因，此時將MRAM集成到Powertrain硅片中的最經濟的方法是采用芯片堆疊。 |
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•從動力總成硅片中刪除內存陣列可減小其管芯尺寸，從而增加每個晶片的管芯數量，同時提高管芯良率。這兩個動作均降低了動力總成芯片的成本 •芯片堆疊技術的進步已經成熟到可接受的質量水平。在已知好的動力總成芯片上堆疊MRAM的已知好芯片（KGD）提供了最便宜的解決方案，因為它集成了成本最低的CMOS芯片和成本最低的MRAM芯片。 |
