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Everspin在磁存儲器設計，制造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。生產基于180nm，130nm和90nm工藝技術節點的MRAM產品。下面要介紹關于everspin公司MRAM演示軟件分析 everspin公司MRAM演示軟件分析 MRAM低級驅動程序通過操作系統和調度程序集成到動力總成應用程序中。讀寫周期由系統時鐘（300MHz）測量。圖1＆2顯示了針對動力總成應用的具有不同非易失性存儲器接口的每個分區的讀/寫時間。這些表顯示大多數讀/寫周期小于2ms。毫不奇怪，該表確認35ns并行接口以比40MHz串口串行mram更快的速率傳輸數據。 Figure 1 SPI MRAM; CLK 40MHz 使用SPI MRAM時，由于微控制器的硬件延遲（緩沖區接收/發送，設置/清除標志，讀/寫存儲器）以及MRAM和微控制器總線之間的同步，因此讀周期要比寫周期花費更長的時間，與并行MRAM類似，寫入周期比讀取周期要花費更長的時間。1＆2中顯示的值包括硬件收發器，硬件延遲（收發器緩沖區，讀/寫存儲器），LLD軟件延遲以及MRAM與動力總成微控制器之間的同步。 Figure 2 EBI MRAM; CLK 66.666MHz 我們用EBI和SPI接口設備驗證了不同的動力總成工作模式。 在整個地址空間范圍內讀寫各種類型的數據。通常，MRAM的操作和時序類似于32位微控制器的規范和時序。 而且，與DLFASH相比，當今的非易失性存儲器可以接受MRAM設備的性能和吞吐量。 everspin 128K 串口串行mram型號如下
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everspin 128K 串口串行mram型號如下
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| Everspin在磁存儲器設計，制造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。 |
| MRAM低級驅動程序通過操作系統和調度程序集成到動力總成應用程序中。讀寫周期由系統時鐘（300MHz）測量 |
