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eMRAM屬于新型存儲(chǔ)技術(shù)，同目前占據(jù)市場(chǎng)主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯片的潛質(zhì)。它在22nm的工藝下投產(chǎn)，將會(huì)加快新型存儲(chǔ)技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)程，未來(lái)發(fā)展前景將被看好。 新型存儲(chǔ)器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性，更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能優(yōu)勢(shì)。例如以統(tǒng)合式 MRAM解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節(jié)省90%的功耗。不過目前下一代存儲(chǔ)器在量產(chǎn)制程方面仍然存在很多瓶頸。 eMRAM等新型存儲(chǔ)器芯片將會(huì)取代DRAM和NAND FLASH成為市場(chǎng)主流嗎？eMRAM只會(huì)取代部分DRAM和NAND的使用量，但仍是沒有辦法完全取代現(xiàn)有的存儲(chǔ)器解決方案。在所有新一代存儲(chǔ)器芯片中，eMRAM的電信特性與DRAM和NAND Flash來(lái)說(shuō)是極其的相似，具備一定的優(yōu)缺點(diǎn)，并未具備完全的替代DRAM和NAND Flash的性能。使用新一代存儲(chǔ)器芯片對(duì)于傳統(tǒng)平臺(tái)來(lái)說(shuō)，需要改變以往的平臺(tái)架構(gòu)才能適應(yīng)，并不是可以輕松使用的。。 也就是說(shuō)新一代存儲(chǔ)器想要獲得一定的市場(chǎng)空間，還需要與現(xiàn)有的存儲(chǔ)器芯片解決方案進(jìn)行配合，加快適應(yīng)傳統(tǒng)平臺(tái)的架構(gòu)，釋放性能方面的優(yōu)勢(shì)。行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體供應(yīng)商的EVERSPIN致力于生產(chǎn)研發(fā)MRAM，eMRAM存儲(chǔ)芯片,滿足市場(chǎng)的一切需求。制造和商業(yè)銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導(dǎo)者，在包括40nm，28nm及更高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生產(chǎn)中. |
| eMRAM屬于新型存儲(chǔ)技術(shù)，同目前占據(jù)市場(chǎng)主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯片的潛質(zhì)。 |
| 新型存儲(chǔ)器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性，更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能優(yōu)勢(shì)。例如以統(tǒng)合式 MRAM解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節(jié)省90%的功耗。 |
行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體供應(yīng)商的EVERSPIN制造和商業(yè)銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導(dǎo)者，在包括40nm，28nm及更高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生產(chǎn)中.英尚微電子作為核心授權(quán)代理商,為各行業(yè)領(lǐng)域提供了優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品供應(yīng).
Everspin MRAM產(chǎn)品介紹.pdf
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