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適用于Xilinx Virtex-7 FPGA開發板的32位DDR4 SDRAM

發布時間:2020-6-5 14:11    發布者:英尚微電子
Xilinx Virtex®-7FPGA系列突破了以前的物理極限。超高端帶寬和容量的結合可提高系統性能,以滿足最復雜的系統要求。毫不妥協的性能是可編程平臺的基礎,其多功能性可在當今競爭激烈的市場中最大程度地實現差異化。

Virtex-7 FPGA擁有多達96個高級串行收發器,使設計人員能夠將突破性的帶寬構建到下一代通信解決方案中。Virtex-7 FPGA可提供多達200萬個邏輯單元和超過5TMACS DSP的吞吐量。這些資源支持大規模并行數據處理體系結構,這些體系結構在每個時鐘周期內執行更多工作。借助多達88個高級串行收發器,Virtex-7 FPGA提供了超過4Tbps的串行帶寬。這些功能使高級雷達,高性能計算和高級醫學成像系統的處理性能達到了新的水平。

盡管現代FPGA包含著內部存儲器,但可用存儲器的數量始終比專用存儲器芯片的存儲器數量級低幾個數量級。因此許多的FPGA設計人員在FPGA上附加某種類型的存儲器也就不稀奇了。由于其高速和低成本,SDRAM是非常流行的存儲器。隨著存儲器制造商試圖找到提高SDRAM速度的方法,DDR SDRAM被引入。DDR代表“雙倍數據速率”。它們不像靜態存儲器那樣容易控制,因此經常使用SDRAM控制器。



UMI UD408G5S1AF 256Mx32 8Gb 32位 DDR4 SDRAM則是目前適合使用于Virtex-7 FPGA開發板中的一款存儲器,其數據速率:3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps。每個突發訪問自動預充電選項。進行自動刷新。每個DRAM可以分別設置不同的模式寄存器值,并可以單獨調整。具有最大的省電模式,功耗最低,且無需內部刷新。英尚微電子代理商可提供送樣及測試,并提供技術支持。

業界領先的28nm HPL工藝技術為這些下一代FPGA實現了性能和功耗的最佳平衡。架構上的改進進一步減少了I / O功耗,同時增加了帶寬。賽靈思設計工具軟件中的智能時鐘門控算法進一步降低了有功功耗。


UMI 32位 DDR4 SDRAM型號


8Gbit DDR4(x32bit)_Datasheet_v1.0.pdf (1.49 MB)
Capacity
Organization
Part Number
Voltage
Package
Speed
Temperature
8Gb
256Mx32
UD408G5S1AFC-24D0
1.14V – 1.26V
144-ball FCBGA
DDR4-2400 CL17-17-17
0℃ to +95 ℃
8Gb
256Mx32
UD408G5S1AFC-29H0
1.14V – 1.26V
144-ball FCBGA
DDR4-2933 CL21-21-21
0℃ to +95 ℃
8Gb
256Mx32
UD408G5S1AFC-26F0
1.14V – 1.26V
144-ball FCBGA
DDR4-2666 CL19-19-19
0℃ to +95 ℃
8Gb
256Mx32
UD408G5S1AFC-32J0
1.14V – 1.26V
144-ball FCBGA
DDR4-3200 CL22-22-22
0℃ to +95 ℃
8Gb
256Mx32
UD408G5S1AFI-24D0
1.14V – 1.26V
144-ball FCBGA
DDR4-2400 CL17-17-17
-40℃ to +95℃
8Gb
256Mx32
UD408G5S1AFI-29H0
1.14V – 1.26V
144-ball FCBGA
DDR4-2933 CL21-21-21
-40℃ to +95℃
8Gb
256Mx32
UD408G5S1AFI-26F0
1.14V – 1.26V
144-ball FCBGA
DDR4-2666 CL19-19-19
-40℃ to +95℃
8Gb
256Mx32
UD408G5S1AFI-32J0
1.14V – 1.26V
144-ball FCBGA
DDR4-3200 CL22-22-22
-40℃ to +95℃



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英尚微電子 發表于 2020-6-5 14:12:28
隨著存儲器制造商試圖找到提高SDRAM速度的方法,DDR SDRAM被引入。DDR代表“雙倍數據速率”。它們不像靜態存儲器那樣容易控制,因此經常使用SDRAM控制器。
英尚微電子 發表于 2020-6-5 14:13:20
UMI UD408G5S1AF 256Mx32 8Gb 32位 DDR4 SDRAM則是目前適合使用于Virtex-7 FPGA開發板中的一款存儲器,其數據速率:3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps。每個突發訪問自動預充電選項。進行自動刷新。每個DRAM可以分別設置不同的模式寄存器值,并可以單獨調整。具有最大的省電模式,功耗最低,且無需內部刷新。英尚微電子代理商可提供送樣及測試,并提供技術支持。
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