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雙片器件結合集成式肖特基二極管提高功率密度和效率，所需PCB空間比6 mm x 5 mm封裝減少65 % Vishay推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊---SiZF300DT，將高邊TrenchFET和低邊SkyFET MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個小型PowerPAIR 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同時有助于減少元器件數量，簡化設計，適用于計算和通信應用功率轉換。 
日前發(fā)布器件中的兩個MOSFET采用半橋配置內部連接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，最大導通電阻分別為4.5 m和7.0 m。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，導通電阻分別為1.84 m和2.57 m。兩個MOSFET典型柵極電荷分別為6.9 nC和19.4 nC。 SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間，是市場上最緊湊的集成產品之一。器件為設計人員提供節(jié)省空間的解決方案，適用于圖形加速卡、計算機、服務器以及通信和RF網絡設備的負載點（POL）轉換、電源以及同步降壓和DC / DC轉換器。 雙MOSFET采用獨特的引腳配置結構，電流相位輸出電流比相同占位面積的同類產品高11 %，此外，輸出電流超過20 A時具有更高的效率。器件引腳配置和大PGND 焊盤還可以增強散熱，優(yōu)化電路，簡化PCB布局。 SiZF300DT 經過100 % Rg和UIS測試，符合RoHS要求標準，無鹵素。 新款雙MOSFET模塊現可提供樣品并已實現量產，大宗訂貨供貨周期為12周。 |
