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SI24R2E升級版SI24R2H內置125K低頻喚醒2.4G單發芯片

發布時間:2020-7-17 15:52    發布者:13682622419

據以上抬頭所述,相信大家都對這款有源RFID首款內置125KHz的這芯片很感興趣,但是今天在介紹這款芯片前,需要大家先屬于我司前兩代的SI24R2E/SI24R2F芯片,因為SI24R2H是在原有的產品上做迭代升級而來

更新情況:
1.Si24R2H在Si24R2F的基礎上增加了Si3933的125KHz低頻喚醒功能。
2.燒錄與Si24R2E一樣,都是通過上位機直接配置,無需編程。
3.Si24R2H可以外接NTC熱敏電阻采集溫度,偏差值±0.5℃。
4.最大發射功率12dBm,睡眠電流300nA(2.4G部分)
5.小尺寸 5*5 QFN32封裝
SI24R2H功能簡述:
· 工作在 2.45GHz ISM 頻段
· 內置 多次可編程 NVM 存儲器
· 具有超低功耗自動發射功能
· 自動發射模式下,支持 多個不同信道發射
· 支持發射數據加密
· 支持按鍵發射功能
· 具有低電壓自動報警功能
· 集成溫度監測和報警功能
· 具有防拆卸報警功能
· 集成防沖突通信機制
· 3.3V 編程電壓
· 調制方式:GFSK
· 數據速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps
· 超低關斷電流:400nA
· 超低待機電流:22uA
· 快速啟動時間: ≤ 130uS
· 寬電源電壓范圍:1.9-3.6V
· 寬數字 I/O 電壓范圍:1.9-5.25V
· 低成本晶振:16MHz±60ppm
· 最高發射功率:12dBm
· 發射電流: 16.8mA(0dBm)
· 最高 10MHz 四線 SPI 接口· 發射數據硬件中斷輸出
· QFN32封裝
· 替換 Si24R1/Si24R2/Si24R2E 發射功能
對有源RFID學校領域局勢有著重大的突破性的作用,有想進一步了解的可進一步聯系博主
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