新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現(xiàn)像的發(fā)現(xiàn)及隨后幾年巨磁阻材料的開發(fā),直至巨磁阻磁頭GMR的制成與應用都為MRAM存儲器研究開發(fā)奠定了基礎。
1995年美國國防部高級研究計劃署)為IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業(yè)提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發(fā),其技術指標及產品目標要求如下:
技術指標:
具有sram芯片的隨機存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存儲密度;
具有EEPROM芯片存入數(shù)據的非易失性。
產品目標:
取代計算機的DRAM內存，
取代手機的EEPROM閃存。
表1列出MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內存SRAM、DRAM及閃存的性能比較。
表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比較
由上述表中的四種內存只有MRAM能同時滿足計算機內存的四項要求:非易失性、隨機存取速率高、數(shù)據存儲密度高以及耗電功率低等。因此美、日、歐等發(fā)達國家都很重視這項新技術,投巨資加速MRAM產品的商業(yè)化。
Everspin MRAM型號表
型號 | 容量 | 位寬 | | 溫度 | 封裝 | MOQ /托盤 | MOQ /卷帶 | MR25H40CDC | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃to+85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR20H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40 ℃to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H40MDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 | MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 | MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
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