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XRAM是一種旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能ram的新型內存體系結構.XRAM使用先進的DRAM技術和自刷新體系結構顯著提高了內存密度并簡化了用戶界面。 XRAM是一種基于先進的DRAM工藝，再結合星憶創新的三態DRAM和免刷新DRAM兩種專利技術的新型存儲器件。不同于傳統的DRAM芯片和SRAM，它具有以下特點： • 成本 同等條件下晶圓面積節省30% ，晶圓產出預估可以增加25% • 速度, 數據讀取延時達到10ns級，相比DRAM要快10倍 • 存儲密度, 單片支持Mbit和Gbit • 功耗, 存儲陣列損耗減少40% • 無刷新, 簡化控制器設計和時序操作，完全隨機訪問，提高總線利用率 • 高可靠性，支持-40~125攝氏度環境溫度 XM8A01M16V33A在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能16M CMOS國產SRAM存儲器芯片，組織為1024K字乘以16位和2048K字乘以8位，支持異步SRAM存儲芯片接口。 XM8A01M16V33A（1M×16）48引腳TSOP I引腳排列 XM8A01M16V33A特征 •異步XRAM芯片內存 •高速訪問時間 •tAA = 10/12納秒 •低有功功率 •ICC = 80 MHz時為75 mA •低CMOS待機電流 •ISB2 = 40 mA（典型值） •工作電壓范圍：2.2 V至3.6 V •取消選擇時自動掉電 •TTL兼容的輸入和輸出 •提供44引腳TSOP II，48引腳TSOP I封裝和48焊球FBGA封裝 星憶存儲專注于XRAM產品開發設計，提供高性能和低延時，低功耗及免刷新動態隨機存儲器芯片產品。致力于通過創新型存儲芯片技術商業化、產業化的過程，帶動國產存儲器芯片的底層技術攻關和相關科研工作，從而推動國產存儲芯片設計前端產業變革和更進一步的發展。星憶存儲代理商英尚微電子支持提供驅動、例程、必要的FAE支持等技術支持。 
XM8A01M16V33(16M).pdf
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