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SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點。 表1非易失性存儲器比較 NVSRAM中的電池對于數(shù)據(jù)保存來說至關(guān)重要。電池的不良接觸會極大地影響電池壽命。其他因素，如震動、濕度以及內(nèi)置的電池切換電路都會縮短電池的使用壽命，同時也會影響系統(tǒng)的整體可靠性。這些問題帶來的最直接的后果是∶終端客戶更換電池的時間間隔更短了，例如每年就需要更換一次，而不是5~10年一次。 NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護(hù)的場合。 |
