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集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產品數據寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億次的寫入次數、并為開發人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數據內存與程序內存的分區)。 鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關鍵是用一個鐵電存儲器可取代原MCU需配置的2~3個不同的存儲器，統一的存儲器架構使用戶在成本和靈活性上獲益。 這種集成鐵電存儲器的MCU是TI特別為物聯網,特別是傳感器網應用而研發。傳感器網部署多在室外或野外，電源條件差,因此功耗要求苛刻,最好能一塊電池支持設備整個生命周期,或能從外界采集能量。此外實時采集到的更多數據要求內存擦寫次數更多，對flash的壽命是個挑戰。而鐵電讀寫速度比閃存提升100倍,而功耗節省250倍。 舉個應用實例:國外超市為節省人工成本，商品普遍采用電子標簽,通過一個傳感器網絡自動更新價格等信息,這種應用如采用集成鐵電存儲器的MCU方案,就能大大節省功耗并延長設備壽命。統一的存儲器也簡化了供應鏈管理,降低采購成本。該新產品首個系列有4/8/16kB三個版本，采用的是16位RISCMCU架構,未來還會推出基于ARM架構的產品系列。與此同時,TI在工具、軟件和系統解決方案方面提供全面支持，包括開發板套件、RF產品庫、兼容的硬件模塊以及設計工具、參考設計及完整的生態系統支持等。 在MCU上集成鐵電存儲器是存在一定難度的，首先制程工藝上，工藝較舊,而鐵電工藝新,這個轉移和適應需要很多開發工作;其次鐵電本身工藝成熟度也在不斷進步中,也存在定的不足,比如鐵電高溫時(260℃)會丟失數據,在生產時需要特別注意。 |
