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自旋傳遞扭矩RAM（STT-MRAM）它結合了非易失性，出色的可擴展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。 自旋傳遞轉矩（STT）寫入是一種通過對齊流過磁性隧道結（MTJ）元件的電子的自旋方向來極化電流的技術。通過使用自旋極化電流來改變磁取向來執行數據寫入MTJelement中信息存儲層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM是一種適用于未來使用超精細工藝生產的MRAM的技術，可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器，微控制器和片上系統（SoC）之類的半導體器件中。對于嵌入式設計人員而言，特別的好處是，STT-MRAM所需的內部電壓僅為1.2V。 它可以使用單個1.5伏電池工作，而DRAM和閃存則需要電荷泵來提供更高的電壓。現有的Nand Flash技術要求內部電壓升至10至12伏才能進行寫操作。該電壓借助電荷泵來提高，這需要相當大的功率，并且給嵌入式設計人員帶來了不利的設計條件。 STT-MRAM技術為嵌入式設計人員帶來的另一個主要好處是，由于其有效的自旋轉移扭矩技術，在90nm節點處的寫入電流低至100至200微安量級。在45納米及以上的半導體節點上，寫入電流繼續顯著降低至100微安以下。這種較低的電流轉換為更密集且更便宜的存儲器。 Everspin公司在磁存儲器的設計制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是翹楚。Everspin擁有超過600多項有效專利和申請的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。everspin代理宇芯電子支持提供相關產品技術支持。 |
