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存儲(chǔ)器IC市場(chǎng)一直是動(dòng)態(tài)的，但是隨著邊緣計(jì)算，人工智能（AI），5G和自動(dòng)駕駛的興起，對(duì)存儲(chǔ)器技術(shù)的需求正在不斷擴(kuò)大和發(fā)展。由于持續(xù)的大流行，使工作和商業(yè)領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化，而存儲(chǔ)器行業(yè)比以往任何時(shí)候都面臨著更多的挑戰(zhàn)，無(wú)法一次解決。 著眼于多樣化內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展以及推動(dòng)其發(fā)展的因素。內(nèi)存技術(shù)的進(jìn)步反映了數(shù)據(jù)的爆炸性增長(zhǎng)，并且越來(lái)越需要將處理移向數(shù)據(jù)。內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù)處于并行軌道，更多的工作負(fù)載在內(nèi)存中處理。 新興存儲(chǔ)器是鐵電RAM（FRAM），它使用鐵電代替介電層來(lái)實(shí)現(xiàn)非易失性。雖然制造步驟類似于DRAM，但FRAM功能更像閃存。 FRAM存儲(chǔ)器可以說(shuō)是最成功的新興存儲(chǔ)器，因?yàn)樗言?a href="http://m.4huy16.com/keyword/嵌入式" target="_blank" class="relatedlink">嵌入式應(yīng)用程序中取得了進(jìn)展，并有可能達(dá)到更高的密度。大約35年以來(lái)，F(xiàn)RAM的非易失性和低功耗是許多應(yīng)用程序的理想特性，并且利基應(yīng)用程序很小。 例如賽普拉斯-英飛凌提供了適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的Excelon FRAM低引腳數(shù)，小封裝選項(xiàng)的密度高達(dá)8 Mb。Excelon系列是專門為自動(dòng)駕駛汽車所需的高速，非易失性數(shù)據(jù)記錄而設(shè)計(jì)的。它還用于醫(yī)療和可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)傳感器，工業(yè)和其他高級(jí)汽車應(yīng)用。顯著降低的功耗，數(shù)據(jù)保留能力和抗輻射性使鐵電存儲(chǔ)器芯片成為EEPROM和NOR閃存的可行替代品。植入式醫(yī)療設(shè)備必須運(yùn)行長(zhǎng)達(dá)十年，這是一個(gè)例子。 在德國(guó)鐵電存儲(chǔ)器公司預(yù)見到更高密度，可行的存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器。正在探索氧化ha的潛力，以幫助制造該技術(shù)所需的更大的晶體管，以實(shí)現(xiàn)可以經(jīng)濟(jì)高效地制造的更高密度。 如果新興的存儲(chǔ)器要成為DRAM和閃存的可行替代方案，那么即使在小眾應(yīng)用中，控制成本并擴(kuò)大制造規(guī)模的能力也至關(guān)重要。如果制造成本過(guò)高，MRAM和ReRAM，F(xiàn)RAM或PCRAM的任何吸引人的特性最終都不重要。甚至3D NAND都經(jīng)歷了成長(zhǎng)的煩惱-盡管比其平面前代產(chǎn)品具有許多優(yōu)勢(shì)。 |
| 著眼于多樣化內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展以及推動(dòng)其發(fā)展的因素。內(nèi)存技術(shù)的進(jìn)步反映了數(shù)據(jù)的爆炸性增長(zhǎng)，并且越來(lái)越需要將處理移向數(shù)據(jù)。 |
| FRAM存儲(chǔ)器可以說(shuō)是最成功的新興存儲(chǔ)器，因?yàn)樗言谇度胧綉?yīng)用程序中取得了進(jìn)展，并有可能達(dá)到更高的密度。大約35年以來(lái)，F(xiàn)RAM的非易失性和低功耗是許多應(yīng)用程序的理想特性，并且利基應(yīng)用程序很小。 |
