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富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內存）。FRAM的數據保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，由262,144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術制造。能夠保留數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的存儲單元可用于1010個讀/寫操作，與Flash存儲器和E2PROM支持的讀和寫操作數量相比，有了顯著改進。MB85R4002A使用與常規異步SRAM兼容的偽SRAM接口。 引腳封裝 特點 •位配置：262,144字×16位 •LB和UB數據字節控制 •讀寫續航力：1010次/字節 •數據保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C） •工作電源電壓：3.0 V至3.6 V •低功耗運行：工作電源電流15 mA（典型值），待機電流50μA（典型值） •工作環境溫度范圍：−40°C至+ 85°C •封裝：48引腳塑料TSOP（FPT-48P-M48） 符合RoHS 非易失性存儲器FRAM，無需保持數據的電池，所以保持數據時不產生能耗。而且，寫入時間較通用EEPROM及閃存要短，具有寫入能耗低的優點。富士通FRAM代理英尚微電子為用戶提供應用解決方案等產品服務。 |
