富士通FRAM技術(shù)和工作原理

英尚微電子

存儲設(shè)備（主要指存儲數(shù)據(jù)的半導體產(chǎn)品）通常分為兩種類型。一種是“易失性存儲器”——數(shù)據(jù)在斷電時消失，如DRAM。另一種類型則是“非易失性存儲器”——數(shù)據(jù)在斷電時不會消失，這意味著數(shù)據(jù)一旦被寫入，只要不進行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。

富士通FRAM技術(shù)和工作原理

FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲又可以像RAM一樣操作。

•當一個電場被加到鐵電晶體時，中心離子順著電場的方向在晶體里移動，當離子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置記憶體。

•移去電場后中心離子保持不動，記憶體的狀態(tài)也得以保存。

•材料本身的遲滯特性的兩個穩(wěn)定點代表0或1的極化值。

FRAM的特點

獨特性能成就技術(shù)“硬核”，F(xiàn)RAM是存儲界的實力派。除非易失性以外，F(xiàn)RAM還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。

其中FRAM寫入次數(shù)壽命高達10萬億次、而EEPROM僅有百萬次(10^6)。同時，F(xiàn)RAM寫入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫入一個字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應(yīng)用中具有無與倫比的優(yōu)勢。

富士通FRAM憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來在Kbit和Mbit級小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域開始風生水起，在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。

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獨特性能成就技術(shù)“硬核”，F(xiàn)RAM是存儲界的實力派。除非易失性以外，F(xiàn)RAM還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。

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FRAM寫入次數(shù)壽命高達10萬億次、而EEPROM僅有百萬次(10^6)。同時，F(xiàn)RAM寫入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫入一個字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應(yīng)用中具有無與倫比的優(yōu)勢。