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低功耗SRAM存儲器應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品，是靜態隨機訪問存儲器的一種類別，靜態隨機訪問存儲器（SRAM）作為最重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲器占據芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。下面EMI代理英尚微介紹一款EMI504NL16LM-55IT國產低功耗SRAM兼容IS61WV25616EFBLL-10B3LI的存儲芯片。 描述 國產SRAM芯片EMII型號EMI504NL16LM-55IT采用EMI先進的全CMOS工藝技術制造。支持低數據保持電壓，以實現電池備份操作和低數據保持電流。還支持工業溫度范圍和芯片級封裝，以使用戶靈活地進行系統設計。其電壓范圍在2.7V〜3.6V，封裝采用標準48FBGA。 特征 •制程技術：90nm Full CMOS •位寬：256K x 16位 •電源電壓：2.7V〜3.6V •低數據保持電壓：1.5V（最小值） •三態輸出和TTL兼容 •標準48FBGA •工業操作溫度 封裝引腳配置 關于EMI EMI是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注于利基市場專用芯片、小型SOC芯片、SRAM存儲芯片及千兆/萬兆USB網口芯片以及音視頻接口芯片的整體解決方案。提供創新、高品質、高性價比、 供貨持續穩定的芯片，并通過提供軟硬件Turnkey solution，降低客戶研發難度，縮短客戶量產時程。產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。 EMI504NL16LM-55IT規格書下載 
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