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Everspin具有高達(dá)400MB/s的讀寫速度xSPI MRAM

發(fā)布時間:2022-5-30 17:30    發(fā)布者:英尚微電子
關(guān)鍵詞: Everspin , xSPI MRAM , MRAM , STT-MRAM
MRAM先驅(qū)Everspin Technologies其最新創(chuàng)新產(chǎn)品EMxxLX系列工業(yè)級xSPI STT-MRAM芯片,容量高達(dá)64Mb。

Everspin的新
xSPI MRAM產(chǎn)品系列基于擴(kuò)展的串行外設(shè)接口,這是用于非易失性存儲設(shè)備的最新JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。它基于Everspin獨特的工業(yè)STT MRAM技術(shù)。這些產(chǎn)品提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數(shù)的SPI兼容總線接口,時鐘頻率高達(dá)200MHz。這些持久性內(nèi)存MRAM設(shè)備在單個1.8V電源上運行,并通過八個I/O信號提供高達(dá)400MBps的讀取和寫入速度。可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM。關(guān)于更多產(chǎn)品相關(guān)資料及技術(shù)支持聯(lián)系Everspin官方代理商英尚微電子

開啟了通用存儲器應(yīng)用解決方案的新時代,取代了SRAM、BBSRAM、NVSRAM和NOR設(shè)備等產(chǎn)品,面向工業(yè)自動化、過程控制、仿真、汽車和運輸、游戲以及更廣泛的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場。

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英尚微電子 發(fā)表于 2022-5-30 17:31:17
Everspin的新xSPI MRAM產(chǎn)品系列基于擴(kuò)展的串行外設(shè)接口,這是用于非易失性存儲設(shè)備的最新JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。它基于Everspin獨特的工業(yè)STT MRAM技術(shù)。這些產(chǎn)品提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數(shù)的SPI兼容總線接口,時鐘頻率高達(dá)200MHz。
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