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帶有防堵轉(zhuǎn)功能四通道 DMOS 全橋驅(qū)動(dòng)MS35631參數(shù)與替代TB62261FTAG

發(fā)布時(shí)間:2022-8-1 19:51    發(fā)布者:鑫邦旺科技
MS35631描述
MS35631 是一款四通道 DMOS 全橋驅(qū)動(dòng)器,可以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)步進(jìn)電機(jī)或者四個(gè)直流電機(jī)。每個(gè)全橋的驅(qū)動(dòng)電流在 24V 電源下可以工作到1.2A。MS35631 集成了固定關(guān)斷時(shí)間的 PWM 電流校正器,以及一個(gè)2bit 的非線性 DAC(數(shù)模轉(zhuǎn)換器),可以工作在全步進(jìn),半步進(jìn),四分之一步進(jìn),正轉(zhuǎn),反轉(zhuǎn)以及待機(jī)模式。PWM 電流校正器使用混合衰減模式,可以減小音頻電機(jī)噪聲,提高步進(jìn)精度以及降低功耗。芯片還內(nèi)置內(nèi)部同步整流控制電路以降低 PWM 工作時(shí)的功耗。
芯片集成的保護(hù)電路有熱關(guān)斷遲滯,低壓關(guān)斷保護(hù)(UVLO)以及翻轉(zhuǎn)電流保護(hù),因此可以不需要特定的電源啟動(dòng)次序。
主要特點(diǎn)
四通道全橋
雙步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
大電流輸出
3.3V 和 5V 邏輯
同步整流
內(nèi)置 UVLO
過(guò)熱保護(hù)
翻轉(zhuǎn)保護(hù)
防堵轉(zhuǎn)
應(yīng)用
安防監(jiān)控
舞臺(tái)燈
玩具
機(jī)器人技術(shù)
醫(yī)療設(shè)備
封裝圖


管腳圖




管腳說(shuō)明圖


內(nèi)部框圖


電氣參數(shù)




功能描述
器件特性
MS35631 可以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)步進(jìn)電機(jī)或四個(gè)直流電機(jī),也可以驅(qū)動(dòng)一個(gè)步進(jìn)電機(jī)加兩個(gè)直流電機(jī)。
輸出 H 全橋?yàn)樗膫(gè) N 型 DMOS 驅(qū)動(dòng)管,受控于脈動(dòng)寬度調(diào)制電路(PWM)。每個(gè) H 全橋的輸出峰值電流由 Rsensex 和 Vrefx 共同決定。輸入腳包括 PHASEX,I0x,I1x。
內(nèi)部 PWM 電流控制原理
每個(gè) H 全橋帶有固定衰減時(shí)間的 PWM 電流控制電路,使得負(fù)載電流不超過(guò)設(shè)定值 ITRIP。初始時(shí),H 橋?qū)堑囊粚?duì)源漏 DMOS 驅(qū)動(dòng)管打開(kāi),電流流入電機(jī)和電路檢測(cè) Rsense 電阻。當(dāng) Rsense 上的電壓等于 VREF 端口電壓的三分之一時(shí),電流檢測(cè)比較器重置 PWM 鎖存器,關(guān)斷源端 DMOS 驅(qū)動(dòng)管。最大電流限制由 Rsense(Rs)電阻大小以及 VREF 端的電壓共同決定,最大電流公式如下:ITripMax=VREF /(3*Rs)
每個(gè)步進(jìn)電流限制 ITrip 都是最大電流限制 ITripMax 的百分比。步進(jìn)電流 ITrip 的計(jì)算公式:ITrip =(% ITripMax /100)* ITripMax其中% ITripMax 見(jiàn)步進(jìn)次序表。另外注意,應(yīng)用中 Rsense 上的最大電壓值不要超過(guò)±500mV。
固定關(guān)斷時(shí)間
內(nèi)部的 PWM 控制電路集成一固定時(shí)間脈沖來(lái)關(guān)斷驅(qū)動(dòng)器,關(guān)斷時(shí)間 toff 內(nèi)置為 9us。
無(wú)效時(shí)間
在內(nèi)部電路控制使得輸出發(fā)生變化時(shí),此功能可以關(guān)斷輸出電流檢測(cè)比較器,以防止輸出誤檢測(cè),比如說(shuō)過(guò)沖電流,嵌位二極管的反向恢復(fù)電流,輸出電容引起的反向傳輸?shù)鹊取o(wú)效時(shí)間設(shè)置為 1us。
控制邏輯
器件與控制器的通信通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的 I1,I0,PHASE 工業(yè)接口,通過(guò)控制,可以實(shí)現(xiàn)全,半與四分之一步長(zhǎng)模式。每個(gè) H 橋設(shè)置了獨(dú)立的 VREF 腳,所以通過(guò)動(dòng)態(tài)地控制 VREF 腳,可以得到更高精度的步長(zhǎng)控制。
電荷泵(CP1 與 CP2)
電荷泵電路產(chǎn)生一個(gè)比 VBB 高的電源來(lái)驅(qū)動(dòng) H 橋的源端 DMOS 管。應(yīng)用中由于充放電的需要,CP1 與 CP2 間需要接一個(gè) 0.1uF 的陶瓷電容。VCP 與 VBBx 之間也需要接一個(gè) 0.1uF 的陶瓷電容來(lái)存儲(chǔ)電荷。
保護(hù)功能
集成完備的保護(hù)功能,包括過(guò)溫保護(hù),欠壓保護(hù),過(guò)流保護(hù)。
MS35631 集成了過(guò)流保護(hù)功能,能夠檢測(cè)輸出對(duì)電源,對(duì)地,以及輸出間短路。當(dāng)檢測(cè)到短路時(shí)間超過(guò) 0.8us 時(shí),芯片將輸出關(guān)閉,關(guān)閉 10ms 后,芯片會(huì)嘗試自動(dòng)重新開(kāi)啟。
同步整流
當(dāng)內(nèi)部固定衰減時(shí)間電路觸發(fā),PWM 關(guān)斷起作用時(shí),負(fù)載電流會(huì)產(chǎn)生回流。MS35631 同步整流電路在電流衰落的過(guò)程中,會(huì)打開(kāi)相應(yīng)的 DMOS 管,用 Rdson 電阻來(lái)短接寄生體二極管,可以有效降低功耗。當(dāng)檢測(cè)到零電流時(shí),同步整流被關(guān)斷以防止負(fù)載電流反向。
混合衰減模式
H 橋工作在混合衰減模式;如下圖所示,當(dāng)電流達(dá)到限流值時(shí),進(jìn)入快速衰減模式,持續(xù)時(shí)間為整個(gè)衰減模式的 30.1%(tFD);然后系統(tǒng)進(jìn)入慢速衰減模式。在快衰減與慢衰減轉(zhuǎn)換期間,驅(qū)動(dòng)器會(huì)被關(guān)斷 600ns(死區(qū)時(shí)間),此設(shè)置可以有效防止橋穿通現(xiàn)象。如下圖 1 圖 2 所示,在死區(qū)時(shí)間,同步整流不再起作用,芯片只工作在快速和慢速衰減模式下。


步進(jìn)相序設(shè)置


典型應(yīng)用圖


直流電機(jī)控制
芯片集成四路 H 橋驅(qū)動(dòng),毎路都設(shè)置了獨(dú)立的 PWM 電流控制電路,所以也可以驅(qū)動(dòng)四個(gè)直流電機(jī)。應(yīng)用中可以通過(guò) VREF 腳設(shè)置最大電流,使用 PWM 信號(hào)控制 I0x,I1x,phasex 腳來(lái)控制電機(jī)的正轉(zhuǎn),反轉(zhuǎn),待機(jī)。
版圖制作
印刷電路板需要使用厚地板。為了獲得更好的性能與散熱,MS35631 最好能直接焊接在板上。在 MS35631 的背面是金屬散熱片,直接焊在 PCB 外露板上可以將熱量發(fā)散到其他層。
版圖地線
為了減小地電位漂移問(wèn)題,須在 PCB 板中靠近芯片的位置設(shè)置一個(gè)單點(diǎn)低阻的特殊地線。一般地,MS35631 的散熱片與 PCB 板的接觸地線位置是理想的特殊地線位置。
低阻的特殊地線可以有效防止地電平漂移和保證電源電壓的穩(wěn)定性。下圖是一個(gè)示意圖,說(shuō)明如何在芯片的底部設(shè)置特殊的地線,既當(dāng)做低阻地接觸,同時(shí)接到散熱片。


SENSE 腳設(shè)置
Sense 腳電阻 RSx 必須通過(guò)一個(gè)低阻的通路到地線,因?yàn)?RSx 會(huì)流過(guò)大電流,并且產(chǎn)生精確的反饋電壓到 sense 比較器。長(zhǎng)的地線會(huì)產(chǎn)生額外電阻,形成不確定的電壓降,降低 sense 比較器精度。
當(dāng)選擇 sense 電阻時(shí),注意保證工作中 sense 腳的電壓不要超過(guò)正負(fù) 500mV。

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