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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器LMG3410R070RWHR 70mΩ GaN功率級

發(fā)布時(shí)間:2022-8-18 10:29    發(fā)布者:Mindy—mjd
關(guān)鍵詞: LMG3410R070RWHR , 電源
產(chǎn)品概述
LMG3410R070 GaN功率級提供新的方式讓電子系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率,能夠支持圖騰柱PFC等高密度、高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。其擁有的一系列獨(dú)特特性可簡化設(shè)計(jì),最大限度地提高可靠性和優(yōu)化任何電源的性能,是取代傳統(tǒng)共源共柵GaN和獨(dú)立GaN FET的明智之選。這些獨(dú)特的特性包括一個(gè)集成的柵極驅(qū)動(dòng)(支持100V/ns開關(guān),Vds振鈴幾乎為零)、一個(gè)100ns限流裝置(擁有自我保護(hù)功能,可防止意外擊穿事件),以及系統(tǒng)接口信號(具有自我監(jiān)測能力)。
LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率級具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,相較硅MOSFET具有更大優(yōu)勢。這些包括超低輸入和輸出電容。特性包括零反向恢復(fù),開關(guān)損耗降低高達(dá)80%,開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴低,從而降低EMI。
特征
TI GaN工藝通過了應(yīng)用中的硬開關(guān)任務(wù)可靠性加速測試
支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
通過共源共柵或獨(dú)立GaN FET提供出色的系統(tǒng)性能
電感8mmx8mm QFN封裝,易于設(shè)計(jì)和布局
可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,用于開關(guān)性能和EMI控制
數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號
只需要+12V非穩(wěn)壓電源
集成式柵極驅(qū)動(dòng)器
零公共源電感
mHz運(yùn)行傳播延遲為20ns
可通過工藝調(diào)整柵極偏置電壓,提高了可靠性
用戶可調(diào)轉(zhuǎn)換率:25V/ns至100V/ns
強(qiáng)大的保護(hù)功能
無需外部保護(hù)元件
過流保護(hù)
轉(zhuǎn)換率抑制:>150V/ns
瞬態(tài)過壓抑制
過熱保護(hù)
對所有電源軌的UVLO保護(hù)
參數(shù):LMG3410R070RWHR 電源開關(guān)/驅(qū)動(dòng)器 P通道 12A
開關(guān)類型:負(fù)載開關(guān)
輸出數(shù):1
比率 - 輸入:輸出:1:1
輸出配置:高端
輸出類型:P 通道
接口:邏輯,PWM
電壓 - 負(fù)載:480V(最大)
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
電流 - 輸出(最大值):12A
導(dǎo)通電阻(典型值):70 毫歐
輸入類型:非反相
特性:自舉電路,5V 穩(wěn)壓輸出
故障保護(hù):過流,超溫,UVLO
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:32-VQFN(8x8)
封裝/外殼:32-VQFN 裸露焊盤
基本產(chǎn)品編號:LMG3410R070
明佳達(dá)電子/星際金華供求工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器LMG3410R070RWHR 70mΩ GaN功率級。
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