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大功率氮化鎵芯片NV6128，NV6127，NV6125，NV6123，NV611：電源開關(guān)/驅(qū)動(dòng)器 通道 20A 30-QFN 規(guī)格： 開關(guān)類型：通用 輸出數(shù)：1 比率 - 輸入:輸出：1：1 輸出配置：高壓側(cè)或低壓側(cè) 輸出類型：N 通道 接口：PWM 電壓 - 負(fù)載：650V 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：10V ~ 24V 電流 - 輸出（最大值）：20A 導(dǎo)通電阻（典型值）：70 毫歐 輸入類型： 非反相 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TC） 安裝類型：表面貼裝型 供應(yīng)商器件封裝：30-QFN（6x8） 封裝/外殼：30-PowerVQFN 描述： 是流行的 650 V GaNFast™ 電源 IC 的熱增強(qiáng)版本，針對(duì)高頻和軟開關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化。 FET、驅(qū)動(dòng)器和邏輯的單片集成創(chuàng)建了一個(gè)易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出”高性能動(dòng)力系統(tǒng)構(gòu)建塊，使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建世界上最快、最小、最高效的集成動(dòng)力系統(tǒng)。 最高的 dV/dt 抗擾度、高速集成驅(qū)動(dòng)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的薄型、低電感、6 x 8 mm SMT QFN 封裝允許設(shè)計(jì)人員利用簡(jiǎn)單、快速、可靠的解決方案來利用 Navitas GaN 技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)突破性的功率密度和效率。 特點(diǎn)： GaNFast™ 電源 IC 大冷卻墊 使用 CS 電阻時(shí)增強(qiáng)散熱 單片集成柵極驅(qū)動(dòng)器 寬 VCC 范圍（10 至 30 V） 可編程開啟 dV/dt 源開爾文接地 200 V/ns dV/dt 抗擾度 800 V 瞬態(tài)電壓額定值 650 V 連續(xù)額定電壓 低 70 mΩ 電阻 零反向恢復(fù)電荷 ESD 保護(hù) – 2 kV (HBM)、1 kV (CDM) 2 兆赫操作 小型、薄型 SMT QFN 6 x 8 毫米占位面積，0.85 毫米輪廓 最小化封裝電感 可持續(xù)性 RoHS、無鉛、符合 REACH 標(biāo)準(zhǔn) 與 Si 解決方案相比，節(jié)能高達(dá) 40% 系統(tǒng)級(jí) 4kg CO2 碳足跡減少 應(yīng)用： 交流-直流、直流-直流、直流-交流 QR 反激、PFC、AHB、降壓、升壓、半橋、全橋、LLC 諧振、D 類 無線電源、太陽能微型逆變器、LED 照明、電視開關(guān)電源、服務(wù)器、電信 星際金華，明佳達(dá) 供求 大功率氮化鎵芯片NV6128，NV6127，NV6125，NV6123，NV611：電源開關(guān)/驅(qū)動(dòng)器 通道 20A 30-QFN |
