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LCMXO3LF-4300C-5BG324C,LCMXO2-2000HC-4FTG256C嵌入式FPGA(現場可編程門陣列)

發布時間:2022-8-23 11:56    發布者:xingjijinhua
LCMXO3LF-4300C-5BG324C:嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列)

規格:
LAB/CLB 數:540
邏輯元件/單元數:4320
總 RAM 位數:94208
I/O 數:279
電壓 - 供電:2.375V ~ 3.465V
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:0°C ~ 85°C(TJ)
封裝/外殼:324-LFBGA
供應商器件封裝:324-CABGA(15x15)
基本產品編號:LCMXO3

特征:
【解決方案】
面向移動應用的最小尺寸、最低功率、高數據吞吐量的橋接解決方案
用于I/O管理和邏輯應用的優化尺寸、邏輯密度、I/O數量、I/O性能器件
高I/O邏輯、最低成本的I/O、高I/O設備,用于 I/O擴展應用
【靈活的結構】
邏輯密度范圍從64到9.4k LUT4
高I/O與LUT之比,多達384個I/O引腳
【先進的封裝】
0.4毫米間距:在非常小的WLCSP(2.5毫米×2.5毫米至3.8毫米×3.8毫米)中具有1千到4千的密度,有28到63個I/O
0.5毫米間距:640至9.4千LUT密度,采用6毫米×6毫米至10毫米×10毫米的BGA封裝,最多可有281個I/O
0.8毫米間距:1千至9.4千密度,最多384個I/O BGA封裝的I/O
【預先設計的源同步I/O】
I/O單元中的DDR寄存器
專用的傳動邏輯
用于顯示I/O的7:1齒輪
通用的DDR,DDRx2,DDRx4
【高性能、靈活的I/O緩沖器】
可編程的sysI/O™緩沖器支持廣泛的接口。
LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
LVTTL
LVDS、總線LVDS、MLVDS、LVPECL
MIPI D-PHY仿真
施密特觸發器輸入,高達 0.5 V 遲滯
是I/O橋接應用的理想選擇
I/O支持熱插拔
片上差分終端
可編程的上拉或下拉模式
【靈活的片上時鐘】
八個主時鐘
用于高速I/O接口的最多兩個邊緣時鐘(僅頂部和底部)。
每個器件最多有兩個模擬PLL,具有分數n頻率合成功能
廣泛的輸入頻率范圍(7 MHz至 400 MHz)。
【非易失性,多時間編程】
瞬間啟動
在微秒內開機
可選擇使用外部SPI存儲器進行雙啟動
單芯片、安全的解決方案
可通過JTAG、SPI或I2C進行編程
MachXO3L包括多時間可編程的NVCM
MachXO3LF可重構閃存包括用于商業/工業器件的100,000次寫入/擦除周期和用于汽車器件的10,000次寫入/擦除周期
支持非易失性存儲器的背景編程
【TransFR重新配置】
場內邏輯更新,同時I/O保持系統狀態 狀態
【增強的系統級支持】
片上硬化功能。SPI、I2C、定時器/計數器
用于商業/工業設備的5.5%精度的片上振蕩器
用于系統跟蹤的獨特TraceID
單電源,工作范圍擴大
IEEE標準1149.1邊界掃描
符合IEEE 1532的系統內編程
【低成本遷移路徑】
從基于閃存的MachXO3LF遷移到基于NVCM的MachXO3L
引腳兼容和等效定時

應用:
消費電子
計算和存儲
無線通信
工業控制系統
汽車系統

LCMXO2-2000HC-4FTG256C:嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列)

描述:
LCMXO2-2000HC-4FTG256C的超低功耗、瞬時啟動、非易失性PLD有六個器件,其密度范圍從 256到6864個查找表(LUT)。除了基于LUT的低成本可編程邏輯,這些器件還具有以下特點 嵌入式塊狀RAM(EBR)、分布式RAM、用戶閃存(UFM)、鎖相環(PLL)、預先設計的源同步I/O支持、高級配置支持,包括雙啟動能力和 常用功能的加固版本,如SPI控制器、I2 C控制器和定時器/計數器。這些功能使這些器件可用于低成本、高容量的消費和系統應用。

屬性:
LAB/CLB 數:264
邏輯元件/單元數:2112
總 RAM 位數:75776
I/O 數:206
電壓 - 供電:2.375V ~ 3.465V
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:0°C ~ 85°C(TJ)
封裝/外殼:256-LBGA
供應商器件封裝:256-FTBGA(17x17)
基本產品編號:LCMXO2-2000

特征:
1,靈活的邏輯架構:
六個器件具有256至6864個LUT4和18至334個I/O。
2,超低功率器件:
先進的65納米低功率工藝
低至22微瓦的待機功率
可編程的低擺幅差分I/O
待機模式和其他省電選項
3,嵌入式和分布式存儲器: 嵌入式和分布式存儲器
高達240kbits的sysMEM™嵌入式塊狀RAM
高達54kbits的分布式RAM
專用的FIFO控制邏輯
4,片上用戶Flash存儲器:
高達256kbits的用戶閃存
100,000次寫入周期
可通過WISHBONE、SPI、I2C和JTAG接口訪問
可作為軟處理器PROM或Flash存儲器使用
5,預先設計的源同步I/O
I/O單元中的DDR寄存器
專用的齒輪邏輯
用于顯示I/O的7:1齒輪化
通用的DDR、DDRX2、DDRX4
專用的DDR/DDR2/LPDDR內存,支持DQS
6,高性能、靈活的I/O緩沖器
可編程的sysIO™緩沖器支持廣泛的接口范圍
I/O支持熱插拔
片上差分終端
可編程的上拉或下拉模式
7,靈活的片上時鐘:
八個主時鐘
多達兩個邊緣時鐘,用于高速I/O和接口(僅頂部和底部)。
每個器件最多有兩個模擬PLL,具有小數點頻率合成功能
廣泛的輸入頻率范圍(7 MHz至400 MHz)。
8,非易失性,可無限重構。
瞬間啟動--在微秒內開機
單芯片、安全的解決方案
可通過JTAG、SPI或I2C進行編程
支持非易失性存儲器的后臺編程
9,TransFR™重新配置:
在系統運行時進行場內邏輯更新
10,增強的系統級支持:
片上硬化功能。SPI,I2C,定時器/計數器
準確度為5.5%的片上振蕩器
獨特的TraceID用于系統跟蹤
一次性可編程(OTP)模式
單電源,工作范圍擴大
IEEE標準1149.1邊界掃描
符合IEEE 1532標準的系統內編程
11,廣泛的封裝選擇:
TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA, fpBGA, QFN封裝選項
小尺寸封裝選項:小至2.5 mm x 2.5 mm
支持密度遷移
先進的無鹵素封裝

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