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近日,BOE(京東方)基于量子點直接光刻工藝(direct photolithography of quantum dots in QLED, DP-QLED)開發的4.7英寸650 PPI 主動矩陣量子點發光二極管(AMQLED)顯示樣機驚艷亮相2023 SID國際顯示周,引發業界廣泛關注。 京東方4.7英寸650PPI光刻法AMQLED亮相2023 SID BOE(京東方)這款光刻法AMQLED樣機對比度超過10,000,000 : 1,色域可達85% BT2020,是京東方繼自主研發出5英寸、14英寸、55英寸4K(80PPI)、55英寸8K(160PPI)等多款電致發光AMQLED顯示屏后,所推出的又一款顛覆性AMQLED技術,再一次引領了量子點顯示的行業技術新風向,也標志著京東方率先將AMQLED這一顛覆性創新顯示技術進入量產驗證階段,進一步提升了中國顯示產業在全球的領先地位。 1、無需FMM,制程更簡單,產品開發更高效 BOE(京東方)開發的量子點直接光刻(DP-QLED)工藝,僅需要涂膜、曝光、顯影三步即實現了一種量子點的圖案化;相對于其它光刻圖案化工藝,步驟減少,無需引入附加結構,可有效提升效率、成本可大幅降低。該工藝無需使用昂貴且制作周期長的精細金屬掩模版(FMM),通過使用成熟度高的曝光光罩,量子點直接光刻(DP-QLED)即可在全尺寸領域范圍內實現高度自由的尺寸與像素密度的規格組合、高度自由的像素排布設計、更高的開口率和器件壽命、更簡單的工藝制程及更靈活、高效的產品開發。 2、突破傳統制程分辨率限制,助力實現顯示領域全尺寸覆蓋 由于量子點材料為無機納米粒子,此前業界普遍認為其量產方式為噴墨打印工藝。由于噴墨打印精度的限制,其應用領域通常被認為局限在300PPI及以下分辨率的大尺寸顯示產品。BOE(京東方)特有的量子點直接光刻(DP-QLED)圖案化工藝,突破了傳統蒸鍍與噴墨打印制程對分辨率的限制,其分辨率理論上取決于曝光機及光罩的精度,在原理上甚至可以得到亞微米級的圖案線寬,達到10000PPI以上的像素密度。 BOE(京東方)量子點光刻法極大推動了QLED技術在中、小尺寸面板市場以及微顯示市場的商業化進程,助力實現QLED技術在顯示領域的全尺寸覆蓋,為客戶帶來極致的視覺體驗。 |
