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為了保護環(huán)境，降低功耗已成為全球面臨的重大挑戰(zhàn)，正因如此，變頻器日益廣泛用于各類型設備。借助變頻器提高能效是重要目標。要求大電流和高功率的應用中通常使用硅（Si）IGBT，因為在大電流條件下，IGBT的飽和電壓低于MOSFET。然而，IGBT在關斷過程中的拖尾電流導致損耗增加，限制了其在高速開關中的應用。 基于CoolSiC™ MOSFET的技術，CIPOS™ Maxi IPM IM828系列推出全球首款采用壓鑄模封裝的1200 V碳化硅IPM，集成了一個優(yōu)化的6通道1200V SOI柵極驅動器和6個CoolSiC™ MOSFET。作為最小巧、最緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡便，因為其嵌入式SOI柵極驅動IC經專門優(yōu)化，可減小開關振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導率的DBC基板，IM828-XCC提供的額定功率超過4.8 kW，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它針對工業(yè)應用進行了優(yōu)化，例如供暖通風空調（HVAC），風扇電機，泵和電機驅動器的功率因數校正。采用先進的電機控制引擎 （MCE），無需任何編碼即可實現最先進的無傳感器磁場定向控制 （FOC）。 產品規(guī)格：EVAL-M1-IM828-A 相關器件：IM828-XCC，IMBF170R1K0M1，ICE5QSAG和IFX25001ME V33 ►場景應用圖 ►產品實體圖 ►展示板照片 ►方案方塊圖 
►核心技術優(yōu)勢 • 1200V 絕緣體上硅(SOI) 門極驅動IC • 集成自舉功能 • 過電流保護 • 全通道欠壓鎖定保護 • 觸發(fā)保護時六個開關器件全部關閉 • 內置死區(qū)時間，防止直通短路 • 獨立的熱敏電阻用于過溫保護 • 當VBS=15V時，允許負VS電勢達到-11V • 獨立的熱敏電阻用于過溫保護 • 三相橋低端開路，適用于單/三電阻相電流采樣 • 故障清除時間可調 • 節(jié)約系統(tǒng)成本，設計簡單 • 投入市場周期短 ►方案規(guī)格• 輸入電壓: 380~480VAC • 4.8kW電機功率輸出 • 輸出電流: 15A/19A (低速） • EMI濾波器 • 默認配置單相分流電流傳感 • 直流母線電壓檢測 • 故障診斷輸出 ► 技術文檔 點擊原文即可獲取~ |
