深圳市明佳達電子/星際金華（回收、供應）SCTL90N65G2V、SCTL35N65G2V（650V）碳化硅功率MOSFET器件，如有需求，請聯系陳先生qq 1668527835 洽談。
產品詳情： 該碳化硅功率MOSFET將寬禁帶材料的先進性和可靠性引入到更廣泛的節能應用中，如用于電動/混合動力汽車、太陽能或風力發電、高效驅動器、電源和智能電網設備的逆變器。從650V到1700V的擴展電壓范圍使其具有出色的開關性能，以及極低的單位面積導通電阻RDS(on)性能指標，從而實現了更高效、更緊湊的系統。與硅MOSFET相比，SiC MOSFET的開關損耗更低，且隨溫度的變化更小。 特性： 汽車級 (AG) 設備 超高溫處理能力（最大TJ=200°C） 非常低的開關損耗（隨溫度變化最小），允許在超高開關頻率下工作 溫度范圍內的低導通電阻 易于驅動 非常快速和強大的本體二極管 SCTL90N65G2V 器件規格： FET 類型：N 通道 技術：SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）：650 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：40A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：24 歐姆 @ 40A，18V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V Vgs（最大值）：+22V，-10V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：935W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應商器件封裝：PowerFlat™（8x8）HV 封裝/外殼：8-PowerVDFN SCTL35N65G2V 技術參數： FET 類型：N 通道 技術：SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）：650 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：40A（Tc） 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V Vgs（最大值）：+22V，-10V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 400 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：417W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應商器件封裝：PowerFlat™（8x8）HV 封裝/外殼：8-PowerVDFN 基本產品編號：SCTL35 應用： 太陽能逆變器，UPS 電機驅動 高壓DC-DC轉換器 開關電源 注：本文部分內容與圖片來源于網絡，版權歸原作者所有。如有侵權，請聯系刪除！ |
