国产精品免费无遮挡无码永久视频-国产高潮视频在线观看-精品久久国产字幕高潮-国产精品99精品无码视亚

實(shí)測(cè)案例:1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

發(fā)布時(shí)間:2023-7-18 20:21    發(fā)布者:eechina
——未來(lái)高壓氮化鎵器件在工業(yè)和能源應(yīng)用市場(chǎng)將會(huì)有更大的發(fā)展空間

作者:泰克科技

氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表,具有極快的開(kāi)關(guān)速度,能夠顯著提升功率變換器的性能,受到電源工程師的青睞。同時(shí),極快的開(kāi)關(guān)速度又對(duì)其動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試提出了更高的要求,稍有不慎就會(huì)得到錯(cuò)誤結(jié)果。

傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng),研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)開(kāi)拓新的應(yīng)用市場(chǎng)。量芯微(GaNPower)是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測(cè)試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK,在市場(chǎng)上具有標(biāo)志性意義,傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普遍停留在低壓應(yīng)用。

為了能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)試,對(duì)應(yīng)的測(cè)試系統(tǒng)往往需要注意以下幾點(diǎn):

1.        測(cè)量設(shè)備具有足夠的帶寬,確保開(kāi)關(guān)過(guò)程不被濾波
針對(duì)此要求,泰克科技的功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)DPT1000A中配置了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的示波器MSO5(1GHz帶寬)、光隔離探頭TIVP1(1GHz帶寬)、高壓無(wú)源探頭TPP0850(800MHz帶寬)、Shunt(500MHz帶寬)



2.        探頭與測(cè)量點(diǎn)之間實(shí)現(xiàn)最小回路連接,減小測(cè)量回路中額外引入的寄生參數(shù),避免測(cè)量結(jié)果中出現(xiàn)并不存在的震蕩或其他異常波形

3.        控制測(cè)試板中功率回路和驅(qū)動(dòng)回路的電感,避免開(kāi)關(guān)波形出現(xiàn)嚴(yán)重震蕩或超出器件安全工作范圍

針對(duì)要求2和3,泰克科技為GaN HEMT功率器件提供了專(zhuān)用測(cè)試板以確保測(cè)試效果,其具有以下特點(diǎn):

a.        元器件布局緊湊、驅(qū)動(dòng)電路靠近器件,盡量減小功率回路和驅(qū)動(dòng)回路電感



b.        針對(duì)不同封裝類(lèi)型的器件,提供焊接和壓接兩種形式,既可以避免傳統(tǒng)Socket引入過(guò)量的寄生電壓,又能夠確保器件牢固可靠。



c.        光隔離探頭TIVP1、高壓無(wú)源探頭TPP0850與PCB連接時(shí)采用專(zhuān)用測(cè)試座,盡量減少了引入測(cè)量回路的電感,同時(shí)還確保了測(cè)量的重復(fù)性。



以TO-252測(cè)試板為例,我們可以看到其上的各功能模塊
•        下管器件:量芯微的1200伏氮化鎵器件GPIHV15DK
•        上管器件:TO-252封裝的1200伏碳化硅二極管
•        測(cè)試點(diǎn):柵極的信號(hào)的測(cè)試點(diǎn),主回路電流的測(cè)試點(diǎn),源漏極Vds的電壓的測(cè)試點(diǎn)



泰克DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)集成了MSO58B高分辨率多通道示波器、光隔離探頭以及雙通道的任意波形發(fā)生器等產(chǎn)品,可實(shí)現(xiàn):
- 定制化系統(tǒng)設(shè)計(jì) & 自動(dòng)化測(cè)試軟件
- 高帶寬/高分辨率測(cè)試設(shè)備 , 在高速開(kāi)關(guān)條件下準(zhǔn)確表征功率器件
- 覆蓋高壓、中壓、低壓、pmos、GaN 等不同類(lèi)型,不同封裝芯片測(cè)試
- 可以提供單脈沖、雙脈沖、反向恢復(fù)、Qg、短路測(cè)試等測(cè)試功能

進(jìn)入到1200V意味著氮化鎵器件在800伏電驅(qū)或其他高壓應(yīng)用上將發(fā)揮重要作用,同時(shí)相比于碳化硅器件,在成本上也會(huì)有更大的優(yōu)勢(shì),證明未來(lái)高壓氮化鎵器件在工業(yè)和能源應(yīng)用市場(chǎng)將會(huì)有更大的發(fā)展空間。

關(guān)于DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)更多詳情,點(diǎn)擊https://www.tek.com.cn/sitewide- ... meters-tester-1000a

本文地址:http://m.4huy16.com/thread-830897-1-1.html     【打印本頁(yè)】

本站部分文章為轉(zhuǎn)載或網(wǎng)友發(fā)布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé);文章版權(quán)歸原作者及原出處所有,如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,我們將根據(jù)著作權(quán)人的要求,第一時(shí)間更正或刪除。
您需要登錄后才可以發(fā)表評(píng)論 登錄 | 立即注冊(cè)

廠商推薦

  • Microchip視頻專(zhuān)區(qū)
  • Microchip第22屆中國(guó)技術(shù)精英年會(huì)——采訪篇
  • “芯”光璀璨,鵬城共賞——2025 Microchip中國(guó)技術(shù)精英年會(huì)深圳站回顧
  • Microchip第22屆中國(guó)技術(shù)精英年會(huì)上海首站開(kāi)幕
  • 常見(jiàn)深度學(xué)習(xí)模型介紹及應(yīng)用培訓(xùn)教程
  • 貿(mào)澤電子(Mouser)專(zhuān)區(qū)
關(guān)于我們  -  服務(wù)條款  -  使用指南  -  站點(diǎn)地圖  -  友情鏈接  -  聯(lián)系我們
電子工程網(wǎng) © 版權(quán)所有   京ICP備16069177號(hào) | 京公網(wǎng)安備11010502021702
快速回復(fù) 返回頂部 返回列表