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東芝推出用于工業(yè)設備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

發(fā)布時間：2023-8-31 20:14 發(fā)布者：eechina

關(guān)鍵詞： SiC , 碳化硅MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開始批量出貨。

新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響，從而提高高速開關(guān)性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關(guān)斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設備功率損耗。

使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設計已在東芝官網(wǎng)發(fā)布。

東芝將繼續(xù)擴大自身產(chǎn)品線，進一步契合市場趨勢，并助力用戶提高設備效率，擴大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

使用SiC MOSFET的3相逆變器

簡易方框圖

 應用：
- 開關(guān)電源（服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等）
- 電動汽車充電站
- 光伏變頻器
- 不間斷電源（UPS）

 特性：
- 4引腳TO-247-4L(X)封裝：
柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，可降低開關(guān)損耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷
- 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）

 主要規(guī)格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號

封裝

絕對最大額定值

電氣特征

庫存查詢與購買

漏

柵

漏極

漏

柵極

總

柵

輸入

二極管

源

電流

源

閾值

柵極

漏

電容

正向

電壓

（DC）

導通

電壓

電荷

Ciss

電壓

VDSS

VGSS

ID

電阻

Vth

Qg

Qgd

（pF）

VDSF

（V）

（A）

RDS(ON)

（V）

（nC）

（V）

（mΩ）

Tc＝25℃

VGS＝18V

VDS＝10V

VGS＝18V

典型值

測量

VGS＝-5V

條件

VDS

典型值

（V）

典型值

TW015Z120C

TO-247-4L(X)

1200

-10至25

100

15

3.0至5.0

158

23

6000

800

-1.35

在線購買

TW030Z120C

60

30

82

13

2925

在線購買

TW045Z120C

40

45

57

8.9

1969

在線購買

TW060Z120C

36

60

46

7.8

1530

在線購買

TW140Z120C

20

140

24

4.2

691

在線購買

TW015Z65C

650

100

15

128

19

4850

400

在線購買

TW027Z65C

58

27

65

10

2288

在線購買

TW048Z65C

40

48

41

6.2

1362

在線購買

TW083Z65C

30

83

28

3.9

873

在線購買

TW107Z65C

20

107

21

2.3

600

在線購買

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