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為了幫助設計人員應對減小設計空間和提高效率的挑戰，飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設計的外形尺寸，并提供了所需的高效率。 FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超便攜應用而設計，具有N溝道共漏極MOSFET特性，能夠實現電流的雙向流動。 FDMB2307NZ采用先進的PowerTrench工藝，具有高功率密度，并在VGS = 4.5V, ID = 8A條件下具有最大16.5mΩ的Rss(on)，從而獲得更低的導通損耗、電壓降和功率損耗，并且相比競爭解決方案，具有更高的總體設計效率。FDMB2307NZ還具有出色的熱性能，使得系統工作溫度更低，進一步提高了效率。 新器件采用2x3mm2MicroFET封裝，為設計人員帶來了現有最小的MLP解決方案之一，相比目前常見的解決方案減小40%，顯著節省了客戶設計的線路板空間。FDMB2307NZ滿足RoHS要求，而且具有>2kV的HBM ESD防護功能。 飛兆半導體通過將先進的電路技術集成在微型高級封裝中，為便攜產品用戶提供了重要的優勢，同時能夠減小設計的尺寸、成本和功率。飛兆半導體的便攜IP業已用于現今大部分手機中。 
價格：訂購1,000個FDMB2307NZ 每個0.46美元 供貨: 可按請求提供樣品 交貨期: 收到訂單后8至12周內 產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲取：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMB2307NZ.pdf |
