大聯大旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件的1KW DC/DC電源模塊方案。
圖示1-大聯大詮鼎基于Innoscience產品的1KW DC/DC電源模塊方案的展示板圖 隨著“雙碳”概念的逐漸深入，智能化和低碳化已經成為數據中心的兩大“確定性”發展趨勢。據知名機構Research調查顯示，現有的采用Si方案的數據中心整體功率轉換能效大約為75%，而采用GaN器件則可將能源效率提升到87.5%。其中，DC/DC 48V-12V環節在整個鏈路中扮演了重要角色。在這種背景下，大聯大詮鼎基于Innoscience InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW DC/DC電源模塊方案，其利用氮化鎵寄生結電容小的特點，配合磁集成方案，將開關頻率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。
圖示2-大聯大詮鼎基于Innoscience產品的1KW DC/DC電源模塊方案的場景應用圖 本方案采用全橋LLC DCX拓撲結構，固定變比為4：1，支持48V輸入轉12V輸出，集成Innoscience旗下兩顆100V InnoGaN ISG3201和八顆INN040LA015A低壓GaN芯片。ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵合封芯片，其通過內部集成驅動器，優化驅動回路和功率回路，顯著降低寄生電感和開關尖峰，進一步提高1KW 48電源模塊系統的整體性能和可靠性。不僅如此，該芯片還具有獨立的高側和低側PWM信號輸入，并支持TTL電平驅動，可由專用控制器或通用MCU進行驅動控制，是數據中心模塊電源，電機驅動以及D類功率放大器等48V電源系統的最佳選擇。 INN040LA015A是一顆耐壓40V導阻1.5mΩ的增強型氮化鎵晶體管，其采用FCLGA 5*4封裝，體積小巧，同時具備極低柵極電荷和導通電阻，且反向恢復電荷為零，不僅可以降低占板面積，而且具有更高的開關頻率，能夠為系統提供更高的動態響應。
圖示3-大聯大詮鼎基于Innoscience產品的1KW DC/DC電源模塊方案的方塊圖 本方案能夠以39mm×26mm×7.5mm的尺寸為數據中心帶來高功率密度與低損耗的優勢。在實際測試中，輸入電壓48V、輸出12V/30A時，峰值效率可達98%；輸入電壓48V、輸出12V/85A時，滿載效率可達96.29%。未來，隨著數據中心向更高效與更智能的方向發展，氮化鎵也將成為重要綠色革命的關鍵角色，在這個進程中，大聯大與Innoscience將持續研發以氮化鎵為核心的解決方案，為數字時代賦能。 核心技術優勢： 高效率：98%@48V-12V/30A； 高頻率：1MHz； 高功率密度：2150W/in3； 超小體積：39mm×26mm×7.5mm。 方案規格： 尺寸：39mm×26mm×7.5mm； 效率： 峰值效率：98%@12V/30A； 滿載效率：96.29%@12V/85A； 功率密度：2150W/in3。 |
