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來(lái)源：EXPreview 去年末，ASML向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，從荷蘭的費(fèi)爾德霍芬運(yùn)送到美國(guó)俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)基地，并在接下來(lái)的幾個(gè)月內(nèi)完成安裝。據(jù)了解，每臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)的成本約在3到4億美元。 近日SemiAnalysis的分析師表示，半導(dǎo)體制造商使用ASML新一代High-NA EUV光刻機(jī)在財(cái)務(wù)上意義不大。對(duì)于這種說(shuō)法，ASML毫無(wú)疑問(wèn)不會(huì)同意的，在接受Bits and Chips采訪時(shí)，ASML首次財(cái)務(wù)官Roger Dassen對(duì)于SemiAnalysis的進(jìn)行了回?fù)簟?br /> Roger Dassen認(rèn)為SemiAnalysis低估了High-NA EUV光刻機(jī)的好處，可以避免制造上雙重或四重曝光帶來(lái)的復(fù)雜性，只需要向英特爾了解一下就能明白了，稱新技術(shù)在邏輯和存儲(chǔ)芯片方面是最具成本效益的解決方案。從這點(diǎn)可以理解，錯(cuò)過(guò)了EUV機(jī)遇的英特爾，為什么最早下單High-NA EUV光刻設(shè)備。 具有高數(shù)值孔徑的新型High-NA EUV系統(tǒng)可提供0.55數(shù)值孔徑，與此前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)相比，精度會(huì)有所提高，可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化，以實(shí)現(xiàn)更小的晶體管特征，同時(shí)每小時(shí)能生產(chǎn)超過(guò)200片晶圓。晶圓代工廠顯然了解使用High-NA EUV光刻機(jī)的利弊，ASML表示客戶已在2024年至2025年開(kāi)始研發(fā)工作，并在2025年至2026年間進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。 
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