Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗

發布時間：2024-2-29 17:44 發布者：eechina

半橋器件采用Trench IGBT技術，可選低VCE(ON)或低Eoff，適用于大電流逆變級

威世科技Vishay推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。

日前發布的半橋器件使用節能效果優于市場上其他器件的Trench IGBT，與具有超軟反向恢復特性的第四代FRED Pt反并聯二極管封裝在一起。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局，與34 mm工業標準封裝100%兼容，可采用機械插接方式更換。

這款工業級器件可用于各種應用的電源逆變器，包括鐵路設備；發電、配電和儲電系統；焊接設備；電機驅動器和機器人。為降低TIG焊機輸出級導通損耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，額定電流下，集電極至發射極電壓僅為 ≤ 1.07 V，達到業內先進水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應用，開關損耗極低，+125 °C，額定電流下，Eoff僅為1.0 mJ。

模塊符合RoHS標準，集電極至發射極電壓為650 V，集電極連續電流為100 A至200 A，結到外殼的熱阻極低。器件通過UL E78996認證，可直接安裝散熱片，EMI小，減少了對吸收電路的要求。

器件規格表：

產品編號	VCES	IC	VCE(ON)	Eoff	速度	封裝
產品編號	VCES	IC	@ IC和 +125 °C		速度	封裝
VS-GT100TS065S	650 V	100 A	1.02 V	6.5 mJ	DC~1 kHz	INT-A-PAK
VS-GT150TS065S	650 V	150 A	1.05 V	10.3 mJ	DC~1 kHz	INT-A-PAK
VS-GT200TS065S	650 V	200 A	1.07 V	13.7 mJ	DC~1 kHz	INT-A-PAK
VS-GT100TS065N	650 V	100 A	2.12 V	1.0 mJ	8 kHz~30 kHz	INT-A-PAK
VS-GT200TS065N	650 V	200 A	2.13 V	3.86 mJ	8 kHz~30 kHz	INT-A-PAK

新型IGBT功率模塊現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為15周。

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