熱門關鍵詞：治療儀示波器 C語言半導體瑞薩

70N10-HG010N10L 高壓場效應MOS管TO-252封裝散熱好抗雪崩能力強

發布時間：2024-6-11 10:48 發布者：HHZHOUQIN

關鍵詞： 70N10-HG010N10L , 散熱好 , 抗雪崩能力強

概述

FSMOS®MOSFET基于惠海半導體的器件設計，可實現低功耗RDS（ON）、低柵極電荷、快速切換和優異的雪崩特性。低Vth系列是專門為具有低驅動電壓的同步整流系統而優化的。

特征

RDS（ON）和FOM低

低開關損耗

卓越的可靠性和一致性

快速切換和軟恢復

應用

PD充電器

電機驅動器

開關電壓調節器

DC-DC轉換器

開關電源

本文地址：http://m.4huy16.com/thread-860315-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。