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來源：大半導體產業網 據外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術已在俄勒岡州和愛爾蘭工廠開始大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。 據介紹，新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節點既針對英特爾自己的產品，也針對代工客戶，將在未來幾年不斷發展。 英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數據中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協同優化來實現尖端性能。生產節點支持<0.6V低壓以及>1.3V高壓以實現最大負載。在性能方面，英特爾承諾在相同功率和晶體管密度下，新節點將實現18%的性能提升。 
目前，英特爾將使用其3nm級工藝技術制造Xeon 6數據中心處理器。最終，英特爾代工廠將使用該生產節點為客戶制造數據中心級處理器。除了基礎版的Intel 3，該公司還將提供支持硅通孔并可用作基礎芯片的Intel 3T。未來，英特爾將為芯片和存儲應用提供功能增強的Intel 3-E，以及可用于各種工作負載/高性能計算（HPC）和通用PC）性能增強的Intel 3-PT。 |
